Comme attendu, Weebit Nano Ltd. (Hod Hasharon, Israël) a réalisé le « tape out » d’une RAM résistive de 8 Mbits (ReRAM) dans un process FDSOI de 22 nm du CEA-Leti.
La puce de démonstration intègre la mémoire ReRAM 8 Mbit avec la logique de contrôle, les décodeurs, les E/S et le code de correction d’erreur (ECC) et utilise un nœud de fabrication où la mémoire flash n’est pas disponible. En tant que puce de test, le composant comprend également un cœur de processeur RISC-V et des périphériques. L’arrivée de la ReRAM 8 Mbit avait été anticipée par Eran Briman, vice-président du marketing et du développement commercial, en octobre 2022 (voir Weebit Weebit qualifies ReRAM for production on 130nm process).
Weebit a travaillé avec le CEA-Leti et le CEA-List pour réduire sa ReRAM à 22 nm. La mémoire 8Mbit ReRAM de la société est conçue comme un bloc de propriété intellectuelle adapté à une utilisation dans des applications à faible consommation telles que l’IoT et l’IA edge. La société déclare qu’en plus d’être disponible sur un nœud où le flash n’est pas disponible, la mémoire ReRAM a une tolérance élevée aux environnements difficiles.
Ceux-ci incluent des températures élevées, des rayonnements et des champs électromagnétiques, ce qui le rend adapté à des applications telles que l’IoT, le médical, l’automobile et l’industrie.
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« La technologie FDSOI offre des performances élevées avec des tensions de fonctionnements basses et de faibles fuites pour permettre aux appareils de fonctionner à des fréquences plus élevées avec une meilleure efficacité énergétique. Elle permet également une intégration plus facile de fonctionnalités supplémentaires telles que la connectivité et la sécurité », a déclaré Olivier Faynot, responsable de la division composants silicium. au CEA-Leti, dans un communiqué publié par Weebit.
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