Module MOSFET SiC 3300 V : Toshiba lance l’IX800FXF2YMS4
Les onduleurs ferroviaires, transformateurs à semi-conducteurs, alimentations sans coupure, systèmes de stockage d’énergie et commandes de moteurs industriels exigent des composants de puissance à la fois efficaces et capables de résister aux surintensités en cas de fonctionnement anormal. Toshiba Electronics Europe élargit sa gamme avec l’IX800FXF2YMS4, un module à double MOSFET en carbure de silicium (SiC) de 3300 V et 800 A. Il associe une forte capacité de tenue au courant de surtension à de faibles pertes par conduction et par commutation.
MOSFET SiC de troisième génération, 3300 V et 800 A
Le module s’appuie sur les MOSFET SiC de troisième génération améliorés de Toshiba. Il présente une tension drain-source nominale de 3300 V et un courant de drain continu nominal de 800 A.
Toshiba met en avant la conception optimisée de ses puces SiC pour expliquer à la fois la robustesse du module face aux surintensités et le niveau réduit de ses pertes. Le module contribue ainsi à la fois à la fiabilité des équipements, en cas de régime anormal, et à leur rendement, en fonctionnement normal, deux critères souvent difficiles à concilier sur ce niveau de tension.
Une tenue I²t de 300 kA²s pour la diode
La diode du module affiche une valeur I²t nominale de 300 kA²s, mesurée à une température initiale de canal de 175 °C, avec VGS = -6 V, une impulsion demi-sinusoïdale unique de 10 ms et un rapport de fréquence de 1 %. Ce paramètre traduit la capacité de la diode à supporter un courant de surtension en conditions anormales.
Cette robustesse contribue directement à la fiabilité des équipements, en particulier dans les applications ferroviaires et de conversion d’énergie où les régimes de défaut doivent être maîtrisés.
Des pertes réduites pour alléger le refroidissement
La tension drain-source à l’état passant est de 1,4 V pour ID = 800 A, VGS = +20 V et une température de canal de 25 °C. Les pertes typiques à l’activation et à la désactivation s’établissent respectivement à 185 mJ et 175 mJ, pour VDD = 1800 V, ID = 800 A et une température de canal de 175 °C.
Ces faibles pertes par conduction et par commutation améliorent le rendement des équipements et permettent de réduire les besoins en refroidissement, avec à la clé des conceptions potentiellement plus compactes.
Un boîtier iXPLV fritté à l’argent
Le module est logé dans le boîtier iXPLV (Intelligent Flexible Package Low Voltage), qui utilise une fixation de puce par frittage d’argent pour améliorer la résistance thermique et la fiabilité. Il supporte une température de canal maximale de 175 °C.
L’IX800FXF2YMS4 porte à quatre le nombre de modules MOSFET SiC en boîtier iXPLV chez Toshiba, qui prévoit d’étendre encore cette gamme pour couvrir davantage de spécifications et d’applications industrielles. Le fabricant affiche l’objectif d’améliorer la fiabilité et le rendement des équipements industriels tout en favorisant des conceptions plus compactes.
Pour vous qui dimensionnez des convertisseurs ferroviaires ou des transformateurs à semi-conducteurs, l’IX800FXF2YMS4 combine 3300 V, 800 A et une tenue I²t de 300 kA²s dans un boîtier fritté. Les valeurs de pertes à 175 °C fournissent une base utile pour vos calculs thermiques.
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