Infineon achète le canadien GaN Systems pour $830 millions
Infineon Technologies va racheter GaN Systems of Canada pour 830 millions de dollars en espèces, ce qui devrait déclencher une consolidation dans l’industrie
L’accord définitif vise à renforcer la position d’Infineon dans le GaN pour des applications telles que la recharge mobile, les alimentations de centres de données, les onduleurs solaires résidentiels et les chargeurs embarqués pour véhicules électriques.
GaN Systems, société fondée en 2008, a son siège social à Ottawa et compte plus de 200 employés. Elle avait levé plus de 170 millions de dollars de financement selon Crunchbase. La société a un accord de seconde source avec Rohm au Japon, un concurrent direct d’Infineon.
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Parmi les autres développeurs de la technologie GaN figurent EPC, Transphorm, Cambridge GaN Devices et Vanguard International Semiconductor.
« L’acquisition prévue de GaN Systems accélérera considérablement notre feuille de route GaN, basée sur des ressources de R&D inégalées, une connaissance des applications et un pipeline de projets clients », a déclaré Jochen Hanebeck, PDG d’Infineon. « Conformément à notre stratégie, la combinaison renforcera encore le leadership d’Infineon dans les systèmes d’alimentation grâce à la maîtrise de toutes les technologies d’alimentation pertinentes, que ce soit sur le silicium, le carbure de silicium ou le nitrure de gallium. »
Jim Witham, PDG de GaN Systems, a déclaré : « Grâce à notre expertise conjointe dans la fourniture de solutions supérieures, nous tirerons parti de manière optimale du potentiel du GaN. La combinaison des accords de fonderie de GaN Systems avec la capacité de fabrication interne d’Infineon permet une disponibilité de croissance maximale pour servir l’adoption accélérée du GaN dans un large éventail de nos marchés cibles. Je suis très fier de ce que GaN Systems a accompli jusqu’à présent et j’ai hâte d’aider à écrire le prochain chapitre avec Infineon. En tant que fabricant de semiconducteurs intégré avec une large capacité technologique, Infineon nous permet de libérer tout notre potentiel.
Le bureau d’analyses de marché Yole s’attend à ce que les revenus du GaN pour les applications d’alimentation augmentent de 56% CAGR à environ. 2 milliards de dollars américains d’ici 2027, ce qui le place derrière le carbure de silicium en tant qu’autre grand semiconducteur « compound » de puissance.
En février 2022, Infineon a confirmé son engagement dans les semiconducteurs à large bande en investissant plus de 2 milliards d’euros dans une nouvelle usine de fabrication à Kulim, en Malaisie, renforçant ainsi sa position sur le marché. Les premiers wafers sortiront de la Fab au second semestre 2024, s’ajoutant aux capacités de fabrication à large bande interdite existantes d’Infineon à Villach, en Autriche.
L’opération est soumise aux approbations réglementaires habituelles.
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