Rohm et Toshiba s’associent dans un projet de $3,7 milliards
Rohm et Toshiba Electronic Devices & Storage ont signé un accor de seconde source pour la fabrication et l’augmentation de la production en volume de composants de puissance en SiC et en silicium, avec un investissement de près de 4 milliards de dollars.
Cette décision a été prise par le ministère de l’économie, du commerce et de l’industrie afin de soutenir l’objectif du gouvernement japonais de garantir un approvisionnement stable en semi-conducteurs de carbure de silicium (SiC) et en dispositifs MOSFET et IGBT en silicium.
L’accord prévoit un investissement total de 388 milliards de yens (3,7 milliards de dollars), Rohm investissant dans sa filiale Lapis Semiconductor pour augmenter la production de SiC avec 289 milliards de yens (2,8 milliards de dollars) pour approvisionner Toshiba, tandis que Toshiba Electronic Devices & Storage dépensera 99 milliards de yens (1 milliard de dollars) à Kaga Toshiba pour augmenter la production de silicium et approvisionner Rohm.
Le gouvernement japonais soutient cette initiative à hauteur de 129 milliards de yens (1,2 milliard de dollars).
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La demande actuelle devrait connaître une croissance continue dans les applications automobiles, le développement de groupes motopropulseurs électriques plus efficaces, plus petits et plus légers, ainsi que dans les applications industrielles où une alimentation stable des dispositifs d’alimentation et des caractéristiques améliorées sont largement nécessaires pour répondre aux exigences croissantes d’automatisation et d’efficacité.
Les derniers MOSFET SiC de quatrième génération de Rohm sont adoptés pour de nombreux véhicules électriques et équipements industriels. Il s’agit de l’un des projets prioritaires de l’entreprise pour augmenter la capacité de production de SiC et répondre à la forte croissance de la demande.
Toshiba Electronic Devices & Storage a fourni des composants de puissance en silicium, principalement pour les marchés de l’automobile et de l’industrie, et a commencé à produire sur une ligne de wafers de 300 mm l’année dernière ; elle accélère les investissements pour améliorer la capacité de production et répondre à la forte croissance de la demande. Elle fait également progresser le développement d’une gamme plus large de composants de puissance SiC, en particulier pour les applications automobiles et les applications de transmission et de distribution d’énergie, en tirant pleinement parti de l’expertise qu’elle a cultivée dans les applications pour véhicules ferroviaires.
Cette décision fait suite à la privatisation de Toshiba, dont Rohm est un investisseur, mais cet investissement n’a pas été le point de départ d’une collaboration manufacturière entre les deux entreprises. Les deux entreprises ont déclaré qu’elles envisageaient depuis un certain temps de collaborer dans le domaine des composants d’alimentation électrique, ce qui a abouti à la présentation d’une demande conjointe.
www.rohm.com ; www.toshiba.com
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