MOSFET : une structure d’isolation originale pour un meilleur rendement
ROHM a récemment développé un MOSFET 20V Nch compact, le RA1C030LD, optimisé pour la commutation dans des appareils petits et fins, notamment les smartphones et les appareils connectés personnels tels que les oreillettes sans fil et autres équipements d’audition.
Ces dernières années, la sophistication croissante et les besoins en puissance des appareils compacts ont nécessité des batteries plus grandes qui réduisent l’espace disponible pour le montage des composants. Dans le même temps, une limite s’impose à la taille de la batterie : pour utiliser plus efficacement sa puissance, il faut minimiser la perte de puissance des composants montés.
Pour répondre à ce besoin, le développement de MOSFET dans des boîtiers à technologie d’encapsulation sur tranches contribuant à une miniaturisation plus poussée, tout en maintenant les caractéristiques nécessaires, est en train de se généraliser dans l’industrie. ROHM tire parti de ses atouts en tant que fabricant de circuits intégrés pour réduire de manière significative la résistance du câblage (qui a augmenté avec les processus discrets conventionnels). Il en résulte un MOSFET de puissance compact associé à une faible perte de puissance.
Le RA1C030LD est proposé dans le boîtier à taille de puce (1,0 mm × 0,6 mm) de niveau d’encapsulation sur tranche DSN1006-3, qui tire parti du processus de circuit intégré propriétaire de ROHM pour parvenir à une basse dissipation de puissance ainsi qu’à une miniaturisation plus poussée. En ce qui concerne le facteur de mérite qui exprime la relation entre les pertes par conduction et par commutation (résistance à l’état passant × Qgd), la valeur de pointe atteinte est inférieure de 20 % à celle des produits standard dans le même boîtier (1,0 mm × 0,6 mm ou plus petit), contribuant à une surface de carte nettement plus petite ainsi qu’à une efficacité accrue dans de nombreux appareils compacts. En même temps, la structure de boîtier unique de ROHM offre une protection isolée pour les parois latérales (contrairement aux produits standard dans le même boîtier sans protection). Cela réduit le risque de courts-circuits dus au contact entre les composants dans les appareils compacts qui doivent recourir à un montage à haute densité en raison des contraintes d’espace, contribuant à un fonctionnement plus sûr.
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