Toshiba lance un MOSFET SiC 1200 V pour optimiser l’efficacité des alimentations des data centers IA
Toshiba Electronics Europe annonce le début des livraisons d’échantillons de son nouveau MOSFET SiC à grille en tranchée de 1200 V, référence TW007D120E, conçu pour répondre aux besoins des systèmes d’alimentation des data centers dédiés à l’intelligence artificielle.
Ce composant s’inscrit dans un contexte marqué par l’augmentation rapide des puissances nécessaires aux applications IA et par la montée en puissance des architectures HVDC 800 V, qui exigent des solutions de conversion plus efficaces et plus compactes.
Une réponse aux défis énergétiques des infrastructures IA
Avec l’essor de l’IA générative, les centres de données connaissent une hausse significative de leur consommation énergétique. Les systèmes d’alimentation doivent donc évoluer pour offrir un meilleur rendement de conversion tout en limitant les pertes.
Le MOSFET TW007D120E répond à ces enjeux en combinant de faibles pertes de conduction et de commutation, contribuant à améliorer l’efficacité globale et à réduire la dissipation thermique.
Une architecture optimisée pour la densité de puissance
Le composant est proposé dans un boîtier QDPAK à refroidissement par le dessus, permettant une meilleure évacuation de la chaleur et une intégration plus dense des étages de puissance.
Cette approche favorise l’augmentation de la densité de puissance, un critère essentiel pour les infrastructures modernes où l’optimisation de l’espace et des performances est déterminante.
Une technologie SiC avancée à grille en tranchée
Le TW007D120E repose sur une structure propriétaire à grille en tranchée, permettant d’obtenir une résistance à l’état passant particulièrement faible.
Avec une RDS(on) typique de 7,0 mΩ et une charge grille‑drain réduite, ce dispositif améliore significativement le compromis entre pertes de conduction et pertes de commutation. Comparé à la génération précédente, il offre des gains importants en termes d’efficacité.
Ces caractéristiques permettent de concevoir des systèmes plus performants, tout en limitant la production de chaleur et les contraintes thermiques.
Une solution pour de multiples applications énergétiques
Bien que destiné en priorité aux data centers IA, ce MOSFET convient également à d’autres applications exigeantes, telles que les onduleurs photovoltaïques, les systèmes UPS, les infrastructures de recharge pour véhicules électriques et les solutions de stockage d’énergie.
Cette polyvalence en fait une brique technologique clé pour l’évolution des systèmes de conversion de puissance.
Vers une production industrielle et une extension des applications
Toshiba prévoit une mise en production du composant au cours de l’exercice 2026 et poursuit le développement de sa gamme, notamment en direction des applications automobiles.
Cette stratégie s’inscrit dans un objectif plus large d’amélioration de l’efficacité énergétique et de réduction des émissions de CO₂ dans les infrastructures numériques et industrielles.
Pour les ingénieurs en électronique de puissance, ce nouveau MOSFET illustre une évolution majeure : l’optimisation des performances ne passe plus uniquement par les architectures système, mais aussi par l’adoption de dispositifs SiC avancés capables de réduire les pertes et d’augmenter la densité de puissance. Une étape clé pour répondre aux besoins croissants des data centers et des infrastructures énergétiques modernes.
Toshiba Electronics Europe GmbH
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