
Intel et Tower concluent un accord de fonderie au NM
Intel Foundry Services (IFS) et le fondeur spécialisé Tower Semiconductor Ltd. (Migdal Haemek, Israël) ont annoncé un accord par lequel Intel fournira à Tower une capacité de fabrication de wafers de 300 mm dans sa fab du Nouveau-Mexique.
Russell Ellwanger, PDG de Tower, a déclaré que cet accord pourrait être le premier d’une série d’accords de ce type entre les deux entreprises.
Intel et Tower s’étaient mis d’accord sur un rachat, mais cet accord a été récemment annulé en raison de l’absence d’approbation réglementaire chinoise (voir Intel abandonne l’acquisition de Tower).
Dans le cadre de l’accord qui vient d’être annoncé, Tower utilisera les installations de fabrication avancées d’Intel au Nouveau-Mexique. Tower investira jusqu’à 300 millions de dollars pour acquérir et posséder des équipements et d’autres actifs fixes à installer dans l’usine du Nouveau-Mexique, et obtenir une capacité de production de plus de 600 000 couches photolithographiques par mois. Intel fabriquera les flux BCD (bipolaire-CMOS-DMOS) 65 nm de Tower, parmi d’autres flux, à la Fab 11X d’Intel à Rio Rancho, au Nouveau-Mexique.
Stuart Pann, vice-président senior d’Intel et directeur général d’Intel Foundry Services, a déclaré : « Nous avons lancé Intel Foundry Services avec l’objectif à long terme de fournir la première fonderie à système ouvert au monde qui réunit une chaîne d’approvisionnement sûre, durable et résiliente avec le meilleur d’Intel et de son écosystème. Nous sommes ravis que Tower reconnaisse la valeur unique que nous offrons et nous ait choisis pour ouvrir son corridor de capacité de 300 mm aux États-Unis. »
Russell Ellwanger, PDG de Tower, a déclaré : « En regardant vers l’avenir, notre objectif principal est d’étendre nos partenariats avec nos clients grâce à la fabrication à grande échelle de solutions technologiques de pointe. Cette collaboration avec Intel nous permet de répondre à la demande de nos clients, en mettant l’accent sur la gestion avancée de l’énergie et sur les solutions RFSOI (radio frequency silicon on insulator), avec une qualification complète du flux de process prévue en 2024. Nous considérons qu’il s’agit d’une première étape vers de multiples solutions synergiques uniques avec Intel. »
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