Circuits MOSFET haute efficacité énergétique
Rutronik intègre les nouveaux MOSFET StrongIRFET 2 d’Infineon dans son portefeuille de produits. La nouvelle génération impressionne par son efficacité énergétique plus élevée, ce qui entraîne une amélioration globale des performances du système.
En raison d’une tolérance de charge de courant plus élevée, plusieurs composants connectés en parallèle ne sont plus nécessaires. Cela permet d’économiser de l’espace sur le PCB et de réduire les coûts. Les transistors sont en stock et disponibles dans différentes variantes de boîtier telles que TO-220 ; TO-220 FullPAK, D2PAK, D2PAK 7 broches, DPAK et TOLL.
Par rapport aux précédents composants StrongIRFET dans la gamme 40 V à 100 V, la nouvelle technologie offre une résistance à l’état passant jusqu’à 40 % supérieure (R DS(on)) et une charge de grille nominale jusqu’à 60 % inférieure. De plus, des courants nominaux plus élevés permettent d’améliorer la capacité de transport de courant et la nouvelle génération est adaptée aux fréquences de commutation hautes et basses. Les brochages standard permettent un remplacement simple. Les MOSFET sont testés à 100 % en matière de sécurité, conformes à la directive RoHS, sans halogène selon la validation du produit IEC61249-2-21 et répondent à la norme JEDEC. Grâce à leurs caractéristiques, ils sont prédestinés à une large gamme d’applications, par exemple pour les onduleurs, la gestion de batteries ou les entraînements de moteurs.
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