Toshiba étend sa gamme de MOSFET de puissance pour les alimentations industrielles 24 V et 48 V
Toshiba Electronics Europe enrichit son portefeuille de MOSFET de puissance à canal N avec une nouvelle famille de composants conçus pour améliorer le rendement énergétique des alimentations industrielles. Cette gamme comprend neuf références disponibles en versions 60 V et 100 V, destinées respectivement aux architectures 24 V et 48 V de plus en plus répandues dans les équipements industriels modernes.
Alors que les infrastructures industrielles évoluent vers des tensions d’alimentation plus élevées afin de réduire les pertes énergétiques, les composants de commutation doivent offrir une meilleure efficacité tout en conservant un encombrement réduit. Cette nouvelle série répond précisément à ces exigences en combinant faibles pertes, compacité et performances thermiques optimisées.
Une réponse à l’évolution des architectures d’alimentation industrielles
Le passage progressif des systèmes traditionnels vers des alimentations 48 V constitue l’une des principales évolutions du secteur industriel. Cette architecture permet de réduire les courants circulant dans les équipements et d’améliorer le rendement global des systèmes.
Cependant, les surtensions et courants d’appel présents sur ces lignes nécessitent des composants capables de supporter des marges importantes en tension. Les nouveaux MOSFET 100 V développés par Toshiba répondent à ces contraintes tout en maintenant une faible résistance à l’état passant.
Pour les applications fonctionnant sur des réseaux 24 V, la société propose également plusieurs déclinaisons 60 V optimisées pour différents niveaux de performances.
Trois boîtiers pour répondre à des besoins variés
Cette nouvelle génération de composants est proposée dans trois formats différents afin de s’adapter à un large éventail de conceptions électroniques.
Le boîtier SOT‑23F vise les applications recherchant simplicité d’intégration et polyvalence. Le TSOP6F privilégie quant à lui la dissipation thermique afin de supporter des niveaux de puissance plus élevés. Enfin, le format UDFN6B répond aux contraintes de miniaturisation grâce à une empreinte particulièrement compacte.
Cette diversité permet aux ingénieurs de sélectionner la solution la plus adaptée à leurs contraintes de densité, de refroidissement et de surface de carte.
Une réduction des pertes pour améliorer l’efficacité énergétique
Malgré leur format réduit, les nouveaux composants affichent des valeurs de RDS(on) particulièrement faibles. Cette caractéristique permet de diminuer les pertes de conduction et de limiter l’échauffement des circuits de puissance.
Les versions optimisées pour les architectures 24 V atteignent notamment une résistance à l’état passant de seulement 99 mΩ, tandis que les modèles destinés aux systèmes 48 V offrent des performances adaptées aux environnements industriels les plus exigeants.
Cette amélioration contribue directement à la réduction de la consommation énergétique globale des équipements.
Des applications de plus en plus diversifiées
Les nouveaux MOSFET s’adressent aussi bien aux systèmes industriels qu’aux équipements électroniques grand public. Ils peuvent être utilisés dans les automates programmables, les variateurs de vitesse, les servomoteurs ou encore l’électronique des serveurs.
Leur faible encombrement et leur rendement élevé les rendent également adaptés à des applications domestiques telles que les éclairages LED, les appareils de traitement de l’eau ou encore les robots de service.
Pour les concepteurs de systèmes d’alimentation, cette nouvelle génération de MOSFET montre que l’amélioration de l’efficacité énergétique passe autant par l’optimisation des architectures que par celle des composants. La possibilité de combiner faible RDS(on), haut rendement, dissipation thermique optimisée et miniaturisation devient essentielle pour les alimentations industrielles modernes.
Toshiba Electronics Europe GmbH
Si vous avez apprécié cet article, vous aimerez les suivants : ne les manquez pas en vous abonnant à :
