Un boîtier innovant qui réduit la taille et le poids des émetteurs 5G
Les opérateurs se préoccupent de plus en plus de l’encombrement et du poids des émetteurs 5G afin d’augmenter la densité du réseau en plaçant plus d’émetteurs sur les tours disponibles, tout en minimisant l’impact visuel sur les pylônes implantés sur des bâtiments dans les zones urbaines.
Des stations de base plus petites et plus discrètes
Pour répondre à ces préoccupations, NXP Semiconductors a annoncé une famille de modules d’amplificateurs RF refroidis par le dessus, basés sur un boîtier innovant conçue pour disposer d’émetteurs 5G plus minces et plus légers sur les infrastructures. Ces stations de base plus petites s’installent plus facilement et à moindre coût, tout en étant plus discrètes dans l’environnement.
La série de modules multi-puces GaN de NXP, associée cette technologie de refroidissement par le dessus pour la RF de puissance, réduit non seulement l’épaisseur et le poids de l’émetteur de plus de 20 %, mais aussi l’empreinte carbone pour la fabrication et le déploiement des stations de base 5G.
Gain de puissance et d’espace
« Le refroidissement par le haut est une vraie opportunité pour l’industrie de l’infrastructure hertzienne, en combinant des capacités de haute puissance avec des performances thermiques avancées pour un sous-système RF plus petit », a déclaré Pierre Piel, vice-président et directeur général pour la puissance radio chez NXP. »
Les nouveaux dispositifs refroidis par la face supérieure de NXP offrent des avantages significatifs en termes de conception et de fabrication, notamment la suppression du blindage RF dédié, l’utilisation d’un circuit imprimé économique et rationalisé, et la séparation de la gestion thermique de la conception RF. Ces caractéristiques aident les fournisseurs de solutions réseau à créer des émetteurs 5G plus fins et plus légèrs pour les opérateurs de réseaux mobiles, tout en réduisant leur cycle de conception global.
La première série de ces modules de puissance RF est conçue pour les émetteurs 32T32R, 200 W couvrant les fréquences de 3,3 GHz à 3,8 GHz. Les dispositifs combinent les technologies internes LDMOS et GaN pour permettre un gain et une efficacité élevés avec des performances à large bande, offrant un gain de 31 dB et une efficacité de 46 % sur une bande passante instantanée de 400 MHz.
Les produits A5M34TG140-TC, A5M35TG140-TC et A5M36TG140-TC sont disponibles dès aujourd’hui. L’A5M36TG140-TC sera pris en charge par la série de cartes de référence RapidRF de NXP.
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