ST va produire ses MCU en Chine pour la Chine
Le géant européen des puces STMicroelectronics NV a révélé qu’il transférait son processus logique CMOS à mémoire non volatile intégrée (eNVM) de 40 nm au fondeur Hua Hong Semiconductor Ltd. (Shanghai, Chine) dans le cadre de sa stratégie « Chine pour la Chine ».
Hua Hong, parfois connu sous le nom de HH Grace, est la deuxième fonderie chinoise après Semiconductor Manufacturing International Corp (SMIC). Le transfert de technologie du processus de fabrication permettra de fabriquer des microcontrôleurs STM32 en 40 nm dans l’usine de fabrication de plaquettes de 300 mm de diamètre de Hua Hong à Wuxi, dans le cadre d’un service de fonderie, d’ici la fin de l’année 2025, a déclaré ST.
L’objectif est de permettre un second approvisionnement en microcontrôleurs de ST et d’améliorer les ventes en Chine, a déclaré Reme El-Ouazzane, président de la division microcontrôleurs de ST, lors du « Capital Markets Day » de la société qui s’est tenu à Paris la semaine dernière.
« Nous avons assisté, nous assistons et nous continuerons à assister à un découplage de la chaîne d’approvisionnement dans les années à venir. C’est pourquoi, il y a près de 18 mois, nous avons pris la décision stratégique de permettre à notre génération eNVM 40 nm d’être fabriquée en Chine de bout en bout », a déclaré M. El-Ouazzane.
« Nous utiliserons exactement le même jeu de masques pour produire les plaquettes à Crolles ou, à l’avenir, en Chine chez HH Grace, le partenaire que nous avons choisi pour cette initiative », a-t-il ajouté.
Lors de la journée des marchés des capitaux, des présentations détaillées ont été faites aux analystes financiers. Cette journée a eu lieu peu après la publication par ST de résultats financiers décevants, dont une baisse de 43,3 % des ventes de microcontrôleurs par rapport à l’année précédente.
Lors d’une séance de questions-réponses, il a été demandé aux cadres supérieurs de ST comment la propriété intellectuelle de ST serait protégée pendant et après un tel transfert.
M. El-Ouazzane a déclaré que la technologie était soigneusement déployée et que les fichiers de données cryptés étaient largement utilisés. Il a ajouté que Hua Hong disposait déjà d’un processus de mémoire non volatile flash intégrée sur CMOS 40 nm. « Nous n’accélérons pas quelque chose qu’ils ont déjà. Mais l’utilisation de notre processus [for ST products] est beaucoup plus efficace pour de nombreuses raisons.
M. El-Ouazzane a insisté sur ce point lors de sa présentation : « Il ne s’agit pas de concevoir notre produit deux fois, par rapport à notre propre PDK [physical design kit] et ensuite par rapport au PDK du fondeur chinois. Ce serait terriblement inefficace ».
Fabio Gualandris, responsable de la qualité, de la fabrication et de la technologie chez ST, a ajouté que le test des circuits intégrés sortant de la chaîne de production est un élément essentiel de la production et que les routines de test de ST sont développées ailleurs et seront apportées en Chine et déployées sur un site distinct de l’usine chinoise, sous le contrôle de ST.
Pas de PCM mais un accord similaire à celui pour le SiC
ST a intégré la mémoire à changement de phase en tant qu’option de logique numérique sur le CMOS 28 nm et le silicium sur isolant 18 nm entièrement appauvri et est l’une des rares sociétés à proposer cette option, mais, du moins pour l’instant, cela ne fait pas partie du transfert de technologie.
ST détient déjà une participation dans une usine de fabrication de plaquettes de 200 mm à Chongqing, en partenariat avec Sanan Optoelectronics, pour la fabrication de dispositifs en carbure de silicium (SiC).
Cette usine devait utiliser des plaquettes fournies par Sanan et la technologie de traitement de ST exclusivement pour produire des composants de puissance pour ST afin de répondre à la demande chinoise en matière d’électrification des voitures et d’applications industrielles dans le domaine de la puissance et de l’énergie.
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