SK Hynix améliore de 30 x la mémoire DRAM HBM
Ryu Seong-su, vice-président de SK Hynix, a annoncé que son entreprise prévoyait de développer des produits dont les performances seraient 30 fois supérieures à celles des mémoires DRAM à large bande passante (HBM) et d’offrir des produits spécifiques aux clients, selon Business Korea.
M. Ryu s’est exprimé lors du SK Icheon Forum 2024 qui s’est tenu à Gwangjin-gu, à Séoul, le 19 août, et a déclaré : « Nous visons à développer des produits dont les performances sont 20 à 30 fois supérieures à celles des HBM actuels : « Nous visons à développer des produits dont les performances seront 20 à 30 fois supérieures à celles des HBM actuels, en nous concentrant sur l’introduction de produits différenciés », a rapporté Business Korea.
SK Hynix a pris une position forte sur le marché de la DRAM grâce à son avantage de précurseur dans le domaine du HBM, format adopté par Nvidia et d’autres pour les cartes et systèmes de processeurs d’intelligence artificielle. Il veut maintenant clairement maintenir ou accroître son avantage sur d’autres acteurs tels que Samsung et Micron.
M. Ryu a indiqué que le marché pourrait désormais s’orienter vers des architectures de mémoire privée et des formats physiques personnalisés. Il a déclaré que SK Hynix avait reçu des demandes de la part des « sept magnifiques », qui comprennent les géants technologiques américains Apple, Microsoft, Google, Amazon, Nvidia, Meta et Tesla.
DRAM-HBM sur mesure
Tous les membres du « magnificent seven » (M7), les grandes entreprises technologiques américaines, nous ont contactés pour nous demander des solutions HBM personnalisées », a déclaré M. Ryu, cité par Business Korea. « J’ai travaillé sans relâche pendant le week-end pour communiquer avec les entreprises du M7. De nombreuses ressources d’ingénierie sont nécessaires en interne pour répondre à leurs demandes, et nous déployons des efforts considérables pour les obtenir. »
SK Hynix, Samsung et Micron introduisent tous des DRAM HBM3E et prévoient d’introduire le format HBM4 en 2025.
M. Ryu a également déclaré que SK Hynix devait définir les spécifications des mémoires plutôt que de suivre les autres. « Nous devons créer nos propres spécifications (de semi-conducteurs de mémoire) plutôt que de suivre des entreprises spécifiques.
« Nous sommes à un tournant important du paradigme HBM, avec une demande croissante de produits personnalisés. Nous continuerons à développer le secteur des mémoires en saisissant ces opportunités », conclut-il selon Business Korea.
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