Samsung lance la fabrication de la première mémoire UFS de 512 Go
Basé sur les dernières puces V-NAND à 64 couches et 512 gigabits de Samsung, le nouveau boîtier eUFS de 512 Go offre une capacité de stockage inégalée et des performances exceptionnelles aux futurs smartphones et tablettes phares.
«En surmontant les limites potentielles de performances système liées à l’utilisation de cartes microSD, la nouvelle mémoire eUFS de 512 Go de Samsung constitue la meilleure solution de stockage embarqué pour les smartphones haut de gamme de la prochaine génération », a affirmé Jaesoo Han, vice-président directeur Ventes et marketing mémoire chez Samsung Electronics. « Avec un approvisionnement précoce et stable de cette solution de stockage intégré avancé, Samsung contribue largement au lancement rapide des appareils mobiles de la prochaine génération par les fabricants du monde entier ».
Composée de huit puces V-NAND à 64 couches et 512 Gb, ainsi que d’une puce contrôleur, toutes empilées, la nouvelle UFS de 512 Go de Samsung a une densité deux fois supérieure à celle de l’eUFS V-NAND à 48 couches et 256 Go précédente de Samsung, tout en occupant le même espace que le boîtier 256 Go. La capacité de stockage accrue de l’eUFS offrira une expérience mobile beaucoup plus riche. Par exemple, la nouvelle eUFS haute capacité permet à un téléphone intelligent haut de gamme de stocker environ 130 clips vidéo 4K Ultra HD (3840 x 2160) d’une durée de 10 minutes. Ceci représente environ dix fois plus qu’une eUFS de 64 Go, qui ne permet de stocker qu’environ 13 clips vidéo de même taille.
Pour optimiser les performances et l’efficacité énergétique des nouvelles mémoires eUFS de 512 Go, elles intègrent un nouvel ensemble de technologies propriétaires Samsung. La conception avancée du circuit V-NAND à 64 couches et 512 Gb et la nouvelle technologie de gestion de l’alimentation du contrôleur de l’eUFS 512 Go minimisent l’augmentation inévitable de la consommation énergétique, ce qui est particulièrement remarquable puisque la nouvelle solution eUFS 512 Go contient deux fois plus de cellules que l’eUFS 256 Go. En outre, le contrôleur de l’eUFS 512 Go accélère le processus de mappage pour convertir les adresses de blocs logiques en celles de blocs physiques.
L’eUFS 512 Go de Samsung offre également de bonnes performances en lecture et en écriture. Grâce à ses vitesses de lecture et d’écriture séquentielles atteignant respectivement 860 mégaoctets par seconde (Mo/s) et 255 Mo/s, la mémoire intégrée de 512 Go peut transférer un clip vidéo full HD de 5 Go en SSD en six secondes environ, soit huit fois plus vite qu’une carte microSD courante.
Pour la lecture et l’écriture aléatoires, la nouvelle eUFS atteint respectivement 42 000 IOPS et 40 000 IOPS. Grâce à la grande vitesse d’écriture aléatoire de l’eUFS, qui est environ 400 fois supérieure aux 100 IOPS d’une carte microSD conventionnelle, les utilisateurs mobiles peuvent profiter d’expériences multimédias fluides telles que la prise de vue haute résolution en rafale, ainsi que la recherche de fichiers et le téléchargement de vidéos en mode multifenêtrage.
Dans le même registre, Samsung envisage d’augmenter régulièrement un volume de production agressif pour ses puces V-NAND à 64 couches et 512 Gb, tout comme sa production de V-NAND 256 Gb. Tout ceci pour répondre à l’augmentation de la demande en matière de stockage mobile embarqué avancé, ainsi que de SSD de qualité supérieure et de cartes mémoire amovibles haute densité et hautes performances.
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