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ROHM dévoile son IGBT 3e génération

ROHM dévoile son IGBT 3e génération

Par Alain Dieul



Les semi-conducteurs de puissance disposant des technologies IGBT, qui sont déployés dans de nombreux types d’applications haute tension, sont de plus en plus populaires. L’objectif de ces composants est d’atteindre le haut rendement et la fiabilité tout en conservant de faibles niveaux de pertes. En élargissant sa gamme existante d’IGBT haute capacité en courant avec une tension de saturation plus basse et une commutation plus rapide, ROHM introduit aujourd’hui sa 3e génération d’IGBT haut rendement. Les nouveaux dispositifs utilisent une structure de puce électronique plus fine ainsi que des technologies propriétaires de limitation de champ électrique et de grille en tranchée pour des performances à l’état de l’art permettant de répondre au besoin croissant de commutation haute fréquence.

Basés sur une structure avancée de limitation de champ, les IGBT 650V 3e génération de ROHM offrent un gradient de concentration de porteurs moins important dans la région de dérive, entraînant une meilleure distribution du courant porteur. Une tension de saturation plus faible et une commutation plus rapide sont alors possibles, ce qui permet de s’affranchir des compromis entre tension de saturation et perte de coupure des solutions conventionnelles.

ROHM a également appliqué une structure de grille en tranchée sophistiquée qui réduit la charge et la capacité de la grille. Une structure de dopage et de cellule optimisée, combinée à une puce 15 % plus fine par rapport à la 2e génération, réduit la perte totale de l’appareil de manière significative. Lors de la phase conductrice, la concentration de porteurs est moins importante, entraînant la réduction des pertes de commutation pendant les coupures. En outre, les nouveaux dispositifs conservent un comportement de commutation progressive, même à faible résistance de grille externe. Les résultats de mesure indiquent un faible bruit tout en parvenant à conserver une vitesse de commutation supérieure. La miniaturisation et les caractéristiques supérieures entraînent une réduction de la tension de saturation de 6 % et des pertes de commutation pendant les coupures de 20 % en comparaison avec la 2e génération, le tout avec des performances système améliorées.

La gamme d’IGBT 650V 3e génération se compose des types 30/50/80A pour la série RGTV et des types 30/40/50A pour la série RGW. Elle est proposée en deux boîtiers différents (TO-247N et TO-3PFM) et deux séries optimisées : la série RGTV, conçue pour les applications requérant une sécurité anti-circuit avancée, et la série RGW, particulièrement adaptée pour les convertisseurs à faible charge de grille, faible capacité et perte de commutation extrêmement faible. Elles sont toutes deux intégrées avec un FRD ultra rapide et à recouvrement progressif, pour une efficacité optimale.

www.rohm.com

 

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