onsemi lance les transistors GaNEXUS : une nouvelle génération de GaN FETs pour l’IA, l’industrie et la robotique
L’essor de l’intelligence artificielle, des centres de données et de l’automatisation industrielle entraîne une demande croissante en solutions de conversion d’énergie plus performantes. Pour répondre à ces besoins, onsemi enrichit son offre avec les nouveaux transistors GaNEXUS au nitrure de gallium (GaN FETs), désormais disponibles chez Mouser Electronics. Ces composants sont conçus pour améliorer l’efficacité énergétique tout en réduisant l’encombrement des systèmes de puissance.
Une technologie GaN adaptée aux applications à forte densité de puissance
Les transistors GaNEXUS exploitent les propriétés du nitrure de gallium, un matériau à large bande interdite reconnu pour ses excellentes performances de commutation. Cette technologie permet d’atteindre des fréquences de fonctionnement plus élevées, de réduire les pertes énergétiques et d’optimiser la densité de puissance dans de nombreuses applications, notamment les infrastructures d’intelligence artificielle, les centres de données, les systèmes robotiques et les équipements industriels.
Une large couverture des besoins en conversion d’énergie
La gamme GaNEXUS couvre des tensions comprises entre 40 et 650 volts grâce à des transistors HEMT en mode enrichissement. Les modèles Smart GaN de 650 V intègrent des mécanismes de protection avancés qui renforcent la fiabilité des systèmes et simplifient leur intégration dans les architectures d’alimentation modernes.
Cette approche permet aux concepteurs de réduire la complexité des développements, d’accélérer les phases de validation et de qualification, tout en limitant les besoins en refroidissement et en améliorant les performances globales du système.
Des avantages concrets pour l’intelligence artificielle et les infrastructures énergétiques
Dans les applications basse et moyenne tension, comme les serveurs d’IA, les convertisseurs intermédiaires 48 V, les systèmes de secours sur batterie ou les variateurs de moteurs, les composants GaNEXUS contribuent à diminuer la taille des composants magnétiques tout en augmentant l’efficacité énergétique et la stabilité du contrôle.
Pour les applications haute tension, notamment les étagères d’alimentation destinées à l’IA, les convertisseurs DC-DC haute tension, les étages PFC ou LLC, cette technologie permet une réduction pouvant atteindre 60 % de la taille des composants magnétiques. Les bénéfices se traduisent également par une meilleure densité de puissance et une réduction des coûts d’exploitation liés à la gestion thermique.
Les technologies d’alimentation jouent un rôle essentiel dans l’évolution des infrastructures numériques et industrielles. L’arrivée des transistors GaNEXUS offre aux ingénieurs une solution capable de répondre aux défis de performance, d’efficacité énergétique et de miniaturisation imposés par l’intelligence artificielle, la robotique et les systèmes électriques de nouvelle génération.
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