MOSFET miniature pour destiné aux applications automobiles durcies
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Par
Alain Dieul
Sa tension drain-source (VDSS) maximum de 100V assure au SSM6N813R de convenir aux phares à plusieurs LED, et cette capacité est encore renforcée par le niveau d’immunité ESD élevé du dispositif. Fabriqué grâce au procédé semiconducteur Toshiba le plus récent, le SSM6N813R offre une dissipation maximale de 1,5 W et un très bon rendement énergétique, grâce à une résistance à l’état passant RDS(ON) de seulement 112 mOhm. Le courant de drain (ID) peut monter jusqu’à 3,5A. Ces doubles MOSFET sont conditionnés en boîtier miniature TSOP6F de seulement 2,9 x 2,8 x 0,8 mm, ce qui correspond à la taille d’un boîtier SOT23, soit 70% de moins qu’un boîtier SOP8.
www.toshiba.semicon-storage.com
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