Convertisseur abaisseur-élévateur synchrone 18 V, 5 A, à haut rendement
La gamme de tensions d’entrée de 2,5 V à 18 V peut descendre jusqu’à 250 mV dès le démarrage. Programmable de 0,8 V à 18 V, la tension de sortie est régulée avec des tensions d’entrée supérieures, inférieures ou égales à celle de sortie.
Sélectionnable par l’utilisateur, le fonctionnement en Burst Mode réduit la consommation au repos à seulement 35 µA, ce qui améliore le rendement aux faibles charges et augmente l’autonomie sur batterie. L’architecture propriétaire intégrée, à quatre commutateurs en mode abaisseur-élévateur à modulation de largeur d’impulsion (PWM), présente un bas niveau de bruit, une commutation sans gigue entre les modes de fonctionnement, ce qui est approprié aux applications RF et analogiques de précision qui sont sensibles au bruit de l’alimentation.
Le composant comprend également la possibilité de programmer le contrôle du point de puissance maximum (MPPC), ce qui assure de générer le maximum de puissance à partir des alimentations à impédance de sortie élevée ou de cellules photovoltaïques.
Les quatre MOSFET canal N intégrés, à faible RDS(0N), autorisent des rendements pouvant atteindre 95%. Le fonctionnement en Burst Mode peut être désactivé, ce qui procure une commutation à un niveau de bruit continu bas. La programmation externe ou la synchronisation de la fréquence par boucle à verrouillage de phase (PLL) permet un fonctionnement sur la gamme étendue de la fréquence de commutation allant de 400 kHz à 2 MHz, ce qui offre un compromis entre le rendement et la taille de la mise en œuvre.
Les caractéristiques supplémentaires comprennent une protection contre les courts-circuits, une protection thermique en cas de dépassement de température, une consommation à l’arrêt inférieure à 3 µA et un indicateur de tension régulée. La combinaison de petits composants externes, d’une large gamme de tensions de fonctionnement, d’un boîtier compact et d’un faible courant de repos, fait que ce convertisseur convient aux alimentations RF, aux applications de forte intensité à charge impulsionnelle, aux alimentations des systèmes de sauvegarde et aux systèmes sur batterie au plomb jusqu’à 12 V.
Proposés en boîtiers QFN 28 broches, de 4 x 5 mm, et TSSOP 28 broches, à performances thermiques renforcées, ces composants sont spécifiés pour fonctionner sur les gammes de températures de – 40 °C à +125 °C pour les classes E et I, de – 40 °C à +150 °C pour la classe H, et de –55 °C à +150 °C pour la classe MP.
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