Technologie IGBT7 nouvelle génération : la gestion d’alimentation polyvalente et simplifiée
Les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) sont depuis longtemps largement utilisés dans l’industrie, combinant les avantages de la haute puissance à des mécanismes de pilotage simples. La nouvelle technologie IGBT7 possède quelques différences au niveau des caractéristiques du composant, comme une tension directe plus faible, des courants nominaux plus élevés, une capacité de surcharge à 175 °C, un meilleur contrôle de l’échelon dv/dt et une diode Flyback améliorée. Quand elle est associée à un boîtier innovant à faible inductance, la technologie IGBT7 offre la facilité d’utilisation, une robustesse améliorée, des densités de puissance plus fortes ainsi qu’une efficacité améliorée, tout en réduisant par ailleurs les coûts système. Essentiels pour les applications de commande de moteur, les composants IGBT7 polyvalents vont offrir de nouvelles perspectives à de nombreux marchés, tels que l’aérospatiale, les énergies renouvelables, les systèmes de stockage d’énergie (ESS), les centres de données et les véhicules commerciaux et agricoles.
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