ST élargit les options de boîtiers de ses GaN de puissance
STMicroelectronics élargit les options de packaging de ses transistors à haute mobilité électronique PowerGaN HEMT à mode amélioré en lançant la production en volume.
Les transistors de puissance GaN de ST sont destinés à des applications telles que les adaptateurs secteur, les chargeurs, les systèmes d’éclairage, les alimentations industrielles, les applications d’énergie renouvelable et l’électrification automobile.
Les deux premiers produits de la famille, le SGT120R65AL et le SGT65R65AL, sont des composants G-HEMT normalement Off de 650V qualifiés pour l’industrie, dans un boîtier PowerFLAT 5×6 HV CMS. Ils ont un courant nominal de 15A et 25A, respectivement, avec une résistance typique à l’enclenchement (RDS(on)) de 75mΩ et 49mΩ à 25°C.
La charge totale de la grille de 3nC et 5,4nC et les faibles capacités parasites garantissent des pertes d’énergie minimales à l’allumage et à l’extinction, et une quatrième connexion de source Kelvin permet d’optimiser le pilotage de la grille. Outre la réduction de la taille et du poids des blocs d’alimentation et des adaptateurs, les deux transistors GaN offrent un meilleur rendement, une température de fonctionnement plus basse et une durée de vie plus longue.
Dans les mois à venir, ST présentera de nouvelles variantes PowerGaN pour les composants qualifiés pour l’automobile, ainsi que des options de boîtiers de puissance supplémentaires, notamment PowerFLAT 8×8 DSC et LFPAK 12×12 pour les applications de haute puissance.
Les transistors HEMT GaN ayant la même tension de claquage et le même RDS(on) que les alternatives au silicium ont une charge de grille totale et des capacités parasites plus faibles, avec une charge de récupération inverse nulle. Ces propriétés augmentent l’efficacité et améliorent les performances de commutation, permettant une fréquence de commutation plus élevée qui autorise des composants passifs plus petits, augmentant ainsi la densité de puissance. Les applications peuvent donc devenir plus petites tout en étant plus performantes.
À l’avenir, le GaN devrait également permettre de nouvelles topologies de conversion de puissance à des fréquences plus élevées qui amélioreront encore l’efficacité et réduiront les pertes de puissance. Pour référence, le fabricant britannique GaN Systems vient de signer un accord avec la start-up britannique QPT pour faire fonctionner ses transistors GaN à des fréquences allant jusqu’à 20 MHz.
ST dispose d’une capacité de production élevée pour les produits discrets PowerGaN afin de répondre à la demande des clients qui souhaitent passer très rapidement à la fabrication en volume. Les SGT120R65AL et SGT65R65AL en PowerFLAT 5×6 HV sont disponibles dès maintenant, à partir de 2,60 $ (SGT120R65AL) et 5,00 $ (SGT65R65AL) pour des commandes par 100 pièces.
www.st.com/g-hemt-gan-transistors
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