ROHM accroît ses capacités de production de composants de puissance
ROHM, qui depuis 2010 produit en masse des composants SiC, dont des diodes à barrière Schottky SiC et des MOSFET SiC, conserve son avance à la tête de l’industrie en matière de développement technologique, par exemple en introduisant les premiers modules d’alimentation SiC de l’industrie et les MOSFET SiC à tranchée. En même temps, fort d’un système de production intégré, ROHM vise l’amélioration de l’efficacité de la production en augmentant le diamètre des wafers et en utilisant les équipements les plus récents tout en réduisant l’impact environnemental de la fabrication.
En plus de ce nouveau bâtiment, SiCrystal GmbH, une société du groupe ROHM fabriquant des wafers en SiC, devrait débuter l’exploitation avec 100 % d’énergie renouvelable dès le prochain exercice financier, en réduisant à zéro les émissions de CO2 de l’énergie achetée pour l’usine. Par conséquent, tous les principaux procédés de production des wafers en SiC utiliseront des énergies renouvelables respectueuses de l’environnement.
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