L’année précédente, ce constructeur a été un des premiers dans l’industrie à adopter la technologie FinFET de gravure avancée en 14 nanomètres (nm) pour ses processeurs haut de gamme qu’il a depuis élargi à d’autres segments, apportant des fonctionnalités haut de gamme aux appareils intelligents plus abordables. Ainsi, ce processeur est le premier de sa catégorie à bénéficier de la technologie FinFET 14 nm, le rendant très économe en énergie tout en offrant des performances exceptionnelles.
« Avec l’Exynos 7570, davantage de consommateurs pourront profiter des performances de la gravure FinFET avancée en 14 nm sur des appareils abordables, » affirme Ben K. Hur, vice-président marketing de la division System LSI de Samsung Electronics. « En intégrant diverses solutions de connectivité avec succès, Samsung renforce sa compétitivité sur le marché des puces uniques. »
Grâce à ses quatre cœurs Cortex-A53 gravés en 14 nm, ce processeur offre une amélioration des performances de 70 % et une augmentation de l’efficacité énergétique de 30 % par rapport à son prédécesseur gravé en 28 nm. Il apporte également une expérience mobile entièrement connectée en intégrant un modem LTE Cat.4 2CA et diverses solutions de connectivité, telles que le Wi-Fi, le Bluetooth, la radio FM et le GNSS.
En outre, grâce à l’optimisation de la conception et la consolidation des fonctions des composants tels que les circuits intégrés de gestion d’alimentation (PMIC) et les fonctionnalités RF (radiofréquence), ce processeur autorise une réduction de la taille totale de la puce pouvant atteindre 20 %, apportant aux fabricants une meilleure capacité à concevoir des téléphones intelligents plus minces.
En prenant en charge une résolution d’écran pouvant atteindre le WXGA, l’enregistrement et la lecture de vidéos en Full HD et un meilleur processeur de signal d’image (ISP) pour les caméras avant et arrière de 8 Mpx/13 Mpx, ce circuit présente un large éventail d’avantages pour les utilisateurs de téléphone intelligent.