POL-05-20S-T : un convertisseur GaN 20 A pour le spatial
Les systèmes spatiaux embarquent des capacités de traitement numérique de plus en plus puissantes, ce qui accroît la demande en alimentations compactes, rapides et fiables en environnement irradié. Microchip Technology a annoncé le 14 octobre 2026 le POL-05-20S-T, un convertisseur point de charge (POL) tolérant aux radiations qui s’appuie sur des composants de puissance en nitrure de gallium (GaN) pour délivrer jusqu’à 20 A en continu, à destination des missions New Space comme des programmes spatiaux conventionnels. Le composant vise à aider les ingénieurs à faire face aux contraintes de taille, de poids et de puissance de systèmes de traitement embarqué toujours plus performants.
20 A dans un boîtier de 25 g
Le convertisseur est logé dans un boîtier compact pour montage en surface de 25 g, mesurant 1,51 × 1,51 × 0,45 pouce. La technologie GaN vise à combiner rendement élevé, densité de puissance importante et capacité à fournir du courant en continu.
Selon Ronan Dillon, directeur senior de l’unité High-Reliability and RF de Microchip, ce composant doit aider les concepteurs à atteindre une forte densité de puissance, à gagner en flexibilité et à améliorer la fiabilité au niveau du système. Il souligne la demande croissante en solutions compactes capables de réagir rapidement tout en fonctionnant de manière fiable en environnement difficile.
Une topologie buck synchrone pour les rails de cœur
Le POL-05-20S-T cible les rails de cœur des FPGA, microcontrôleurs, ASIC et autres charges numériques à forte intensité de calcul. Il associe une topologie abaisseuse synchrone à une commande en mode courant afin de gérer des transitoires de courant rapides tout en garantissant un fonctionnement stable.
La plage d’entrée s’étend de 4,75 à 13,2 V et la tension de sortie est réglable de 0,7 à 5 V. La régulation par droop complète l’ensemble pour les charges à fort courant qui exigent une régulation précise et une réponse transitoire rapide.
Tenue aux radiations et protections intégrées
Les paramètres électriques sont spécifiés avant et après irradiation jusqu’à une dose ionisante totale de 50 krad. Le composant est caractérisé vis-à-vis des effets d’événement unique jusqu’à un LET de 43 MeV·cm²/mg et fonctionne à pleine charge de -55 °C à +100 °C. Cette plage de température répond aux systèmes soumis à de fortes variations thermiques au cours d’une mission.
Mesure déportée de la tension, protections contre les sous-tensions et surtensions, démarrage progressif, broche d’activation et signal d’alimentation correcte font partie des fonctions intégrées. Ces fonctions visent à garantir une alimentation fiable des charges sensibles.
Une offre d’alimentation spatiale complète
Le POL-05-20S-T s’inscrit dans la gamme d’alimentation spatiale de Microchip, qui comprend filtres EMI, convertisseurs CC-CC, régulateurs point de charge, composants discrets haute fiabilité, FPGA et processeurs de calcul spatial PIC64-HPSC. Selon Microchip, cette offre s’appuie sur plusieurs décennies d’expérience dans le spatial et doit aider les clients à simplifier le développement, réduire les risques de conception et accélérer le déploiement de systèmes critiques.
Le convertisseur est disponible en commandes de production, directement auprès de Microchip ou via ses représentants et distributeurs agréés.
Pour les équipes qui alimentent des FPGA ou des ASIC embarqués sur satellite, ce POL GaN apporte 20 A dans un encombrement réduit avec une tenue aux radiations caractérisée. Si vos budgets de masse et de surface sont serrés, il mérite d’être comparé à vos solutions actuelles.
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