ON Semiconductor améliore les performances en proche infrarouge des capteurs d’images CCD
Cette sensibilité améliorée peut être déterminante dans certaines applications comme l’imagerie scientifique et médicale, où les sources de photons émettent dans les longueurs d’onde NIR ; ou encore dans les domaines de la vision par ordinateur ou des systèmes ITS (Intelligent Transport System, ou système de transport intelligent) où l’illumination NIR est souvent utilisée pour mieux analyser un objet ou isoler la plaque minéralogique d’un véhicule.
La nouvelle conception de pixel CCD utilisée dans le KAI-08052 étend la région de capture des électrons plus profondément dans le silicium, afin de mieux capturer les électrons produits par les photons à plus grande longueur d’onde. Ces puits de pixels plus profonds améliorent la détection des longueurs d’onde NIR d’un facteur 2, en fonction de la longueur d’onde considérée. Par ailleurs, étant donné que la structure des puits isole les photodiodes entre elles, cette sensibilité NIR accrue ne se produit pas au détriment de la netteté de l’image (Modulaton Transfer Function, ou fonction de transfert à modulation).
« Les fabricants de caméras et les utilisateurs finaux continuent d’affirmer que les produits à base de technologies CCD et CMOS seront nécessaires sur ces marchés, ce qui signifie que nous devons continuer de développer et de faire progresser ces deux technologies, » déclare Herb Erhardt, Vice-Président et Directeur Général de la division Industrie et Sécurité, du groupe Capteurs d’images, chez ON Semiconductor. « Le KAI-08052 apporte une nette amélioration de sensibilité NIR par rapport à notre conception de pixels standard, et nous nous avons hâte de mettre en oeuvre cette technologie dans d’autres produits à l’avenir. »