Nexperia fait appel à Mitsubishi Electric pour l’alimentation en SiC
Nexperia a signé un accord stratégique avec Mitsubishi Electric pour développer conjointement des semiconducteurs de puissance en carbure de silicium (SiC) pour le marché de l’électronique de puissance.
Mitsubishi Electric développera et fournira des puces MOSFET SiC que Nexperia utilisera pour développer des dispositifs discrets SiC.
Mitsubishi a déjà conclu un accord avec Coherent pour la fourniture de plaquettes de SiC pour les MOSFET de Mitsubihi, et l’entreprise est en train de construire une usine de fabrication et d’assemblage de SiC de 200 mm pour tirer parti de sa position sur le marché de l’énergie SiC.
Le marché des véhicules électriques se développe dans le monde entier et contribue à la croissance exponentielle des semiconducteurs de puissance SiC, qui offrent une perte d’énergie plus faible, des températures de fonctionnement plus élevées et des vitesses de commutation plus rapides que les semiconducteurs de puissance au silicium conventionnels. Le rendement élevé des SIC de puissance devrait contribuer de manière significative à la décarbonisation et à la transformation verte à l’échelle mondiale.
Mitsubishi Electric a acquis une position de leader sur des applications telles que les trains à grande vitesse, les applications industrielles à haute tension et les appareils électroménagers, en lançant les premiers modules de puissance SiC au monde pour les climatiseurs en 2010 et en devenant le premier fournisseur d’un module de puissance tout-SiC pour les trains à grande vitesse Shinkansen en 2015.
MitsubishiElectric ; www.nexperia.com
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