MOSFET de 5ème génération à canal P très basse résistance à l’état passant
Ces dernières années, alors que la demande d’une meilleure efficacité stimule l’adoption de tensions d’entrée plus élevées dans les applications industrielles et grand public, les MOSFET devraient produire non seulement une basse résistance à l’état passant, mais aussi des tensions de tenue élevées. Il existe deux types de MOSFET : à canal N et canal P. Bien que les types à canal N présentent généralement une meilleure efficacité lorsqu’ils sont utilisés sur le côté haut, une tension de grille supérieure à la tension d’entrée est nécessaire, ce qui complique la configuration du circuit. D’autre part, les MOSFET à canal P peuvent être commandés avec une tension de grille inférieure à la tension d’entrée, simplifiant considérablement la configuration du circuit tout en réduisant la charge de conception.
Dans ce contexte, ROHM a développé des MOSFET à canal P -40 V/-60 V à basse résistance à l’état passant compatibles avec une entrée 24 V, utilisant un processus élaboré et avancé de 5e génération. En se basant sur la structure du MOSFET à canal P de ROHM éprouvée sur le marché, ces nouveaux produits tirent parti de la technologie de processus élaborée pour atteindre la plus basse résistance à l’état passant par zone d’unité dans leur classe. Cela se traduit par une résistance à l’état passant inférieure de 62 % par rapport aux produits conventionnels pour les nouveaux produits de -40 V et de 52 % pour les nouveaux produits de -60 V.
Dans le même temps, la qualité est améliorée en optimisant la structure de l’appareil et en adoptant une nouvelle conception qui atténue la concentration des champs électriques. Par conséquent, une fiabilité élevée et une basse résistance à l’état passant (qui sont généralement dans une relation de compromis) sont atteintes. Ces solutions contribuent à un fonctionnement stable à long terme dans des équipements industriels exigeant une qualité exceptionnelle.
ROHM continue de développer une variété de boîtiers pour un large éventail d’applications, y compris des produits optimisés pour le secteur automobile. En plus de ces MOSFET à canal P de 5e génération, afin de renforcer notre gamme de stations de base 5G et de serveurs de centres de données où la demande augmente, nous développons des MOSFET à canal N à plus haut rendement. Ces produits contribuent à réduire la charge de conception des applications tout en accroissant l’efficacité et la fiabilité.
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