Bosch lance ses MOSFET SiC Gen3 et Rutronik prépare l’extension de son portefeuille de puissance
Avec le lancement de ses MOSFET en carbure de silicium (SiC) de troisième génération, Bosch franchit une nouvelle étape dans l’évolution des semi‑conducteurs de puissance pour applications haute tension. En parallèle, Rutronik annonce préparer l’extension de son portefeuille afin d’intégrer cette nouvelle génération de composants, répondant aux exigences croissantes en matière de rendement énergétique, de densité de puissance et de performance système.
Cette évolution s’inscrit dans un contexte d’électrification accélérée touchant la mobilité électrique, les énergies renouvelables et les systèmes d’entraînement industriels, où les limites des technologies silicium traditionnelles sont de plus en plus atteintes.
Le SiC, moteur de l’électronique de puissance moderne
Le carbure de silicium s’impose comme une technologie clé pour les applications haute tension grâce à sa capacité à réduire les pertes de commutation, à fonctionner à des températures plus élevées et à améliorer l’efficacité globale des systèmes. Comparés aux dispositifs en silicium, les composants SiC permettent d’atteindre des fréquences de commutation plus élevées et une meilleure gestion thermique, ouvrant la voie à des architectures plus compactes.
Les MOSFET SiC Gen3 de Bosch ont été conçus pour aller encore plus loin dans cette direction, en optimisant simultanément les performances électriques et l’intégration système.
Optimisation des pertes et amélioration de la densité de puissance
L’un des principaux atouts de cette nouvelle génération réside dans l’équilibre optimisé entre pertes de conduction et pertes de commutation, ce qui permet de minimiser les pertes totales au niveau du système. Cette caractéristique est particulièrement déterminante pour les applications fonctionnant à haute fréquence de commutation ou soumises à des conditions de charge dynamiques, comme les convertisseurs et onduleurs modernes.
En améliorant la densité de puissance, les MOSFET SiC Gen3 contribuent également à des conceptions plus compactes et plus légères, tout en facilitant la gestion thermique. Cela se traduit par des gains concrets, tels qu’une autonomie accrue des véhicules électriques ou une meilleure exploitation de l’énergie dans les systèmes industriels.
Une solution adaptée à de nombreux secteurs clés
Les MOSFET SiC Gen3 de Bosch sont destinés à un large éventail d’applications où l’efficacité, la fiabilité et la performance sont critiques. Elles incluent notamment les onduleurs de traction, les chargeurs embarqués, les infrastructures de recharge, les onduleurs photovoltaïques, les systèmes de stockage d’énergie, ainsi que les variateurs et entraînements industriels.
En préparant l’intégration de ces composants dans son portefeuille, Rutronik se positionne pour accompagner les concepteurs dans l’adoption de cette nouvelle génération de semi‑conducteurs de puissance, tant au niveau du design‑in que du support technique.
Approfondir la technologie SiC
Pour aider les développeurs à tirer pleinement parti du potentiel des MOSFET SiC Gen3, Bosch propose un webinaire dédié offrant un éclairage sur les défis de conception, l’optimisation du rendement et les cas d’usage dans les applications haute tension modernes.
Pour les ingénieurs en électronique de puissance, l’arrivée des MOSFET SiC Gen3 marque une nouvelle étape vers des systèmes plus efficaces et plus compacts. Le soutien de Rutronik dans l’élargissement de son portefeuille facilite l’accès à ces technologies clés, essentielles pour relever les défis énergétiques et de mobilité de nouvelle génération.
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