
MOSFET à basse résistance à l’état passant : un fonctionnement hautement efficace dans de nombreuses applications
ROHM a développé les MOSFET Nch (40 V/60 V/80 V/100 V/150 V) des séries RS6xxxxBx / RH6xxxxBx avec 13 numéros de pièces, adaptés à des applications fonctionnant sur des alimentations 24 V/36 V/48 V
Ces dernières années, la consommation mondiale d’énergie a augmenté, ce qui a entraîné un besoin de gain d’efficacité pour des équipements industriels tels que des serveurs, des stations de base ainsi que divers moteurs. Dans un certain nombre de ces applications qui utilisent des MOSFET à tension moyenne, utilisés dans divers circuits, les fabricants exigent des pertes de puissance encore moindres. Cependant, les MOSFET généraux se caractérisent par deux paramètres principaux entraînant des pertes de puissance : la résistance à l’état passant (RDS(on)), qui est inversement proportionnelle à la taille de la puce, et la charge de drain de grille (Qgd) qui augmente proportionnellement avec la taille de la puce, ce qui rend difficile l’obtention des deux. ROHM a amélioré le compromis entre les deux en adoptant des connexions à clips en cuivre et en améliorant la structure de la grille. |
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