Composants HEMT au nitrure de Gallium ICeGaN 650 V
La société de semi-conducteurs fabless clean-tech Cambridge GaN Devices (CGD) a lancé la deuxième série de sa famille de composants HEMT au nitrure de Gallium ICeGaN 650 V
Les HEMT ICeGaN de la série H2 utilisent l’interface de porte intelligente de CGD qui élimine pratiquement les faiblesses typiques e-mode de la technologie GaN, offrant une robustesse aux surtensions considérablement améliorée, un seuil d’immunité au bruit plus élevé, la suppression de dV/dt et une protection ESD. Comme les composants de la génération précédente, les nouveaux transistors ICeGaN 650 V H2 sont pilotés de la même manière que les MOSFET Si, ce qui élimine le besoin de circuits complexes et gourmands en énergie, en utilisant à la place des pilotes de grille disponibles dans le commerce. Enfin, les HEMT H2 ICeGaN présentent un QG 10x inférieur à celui des composants en silicium et un QOSS 5x fois inférieur, ce qui permet aux HEMT H2 ICeGaN de réduire considérablement les pertes de commutation à des fréquences de commutation élevées, ce qui réduit la taille et le poids. Cela se traduit par des performances d’efficacité de pointe, 2 % supérieures à celles des meilleurs MOSFET Si de l’industrie dans les applications SMPS.
« CGD a établi un leadership innovant avec la série H2 ICeGaN. Des recherches indépendantes menées par Virginia Tech ont démontré que la technologie ICeGaN permettait les composants GaN les plus robustes de l’industrie, en termes de facilité d’utilisation, et ils peuvent être pilotés comme un MOSFET silicium standard, de sorte que la courbe d’apprentissage qui peut ralentir l’acceptation par le marché est éliminée. L’efficacité du GaN est bien connue et l’ICeGaN est impressionnant sur toute la plage de charge. » déclare Giorgia longobardi | CEO & Co-fondatrice de CGD.
Un circuit NL innovant
La série ICeGaN H2 est dotée d’un circuit NL innovant, intégré sur la puce à côté du commutateur GaN, ce qui réduit les pertes de puissance à un niveau record. Une structure de blocage de courant avancée avec Miller Clamp intégré – également sur puce – élimine le besoin de tensions de grille négatives, permettant une véritable coupure à zéro volt et améliorant les performances RDS(ON) dynamiques. Ces transistors HEMT GaN monopuce e-mode (normalement désactivé) comprennent une interface intégrée monolithique et un circuit de protection pour une fiabilité de grille et une simplicité de conception inégalées. Enfin, une fonction Current Sense réduit la dissipation de puissance et permet une connexion directe à la terre pour un refroidissement optimisé et la protection EMI.
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