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Le circuit de commande GaN pilote une gamme complète de HEMT en e-mode

Le circuit de commande GaN pilote une gamme complète de HEMT en e-mode

Nouveaux produits |
Par Nick Flaherty, Daniel Cardon



Innoscience Technology a développé un pilote de grille conçu pour piloter des HEMT GaN monocanal dans des applications SR côté bas, côté haut ou côté secondaire.

Le pilote de grille  INS1001DE d’Innoscience possède deux entrées PWM non inversées et inversées, permettant un fonctionnement flexible avec un contrôleur, un opto-coupleur et un isolateur numérique. Des sorties Pull-up et Pull-down indépendantes facilitent le contrôle des vitesses d’activation et de désactivation.

La tension du pilote est programmable par l’utilisateur pour s’adapter aux différentes exigences de la porte à l’aide d’un diviseur de résistance externe. Un LDO 5V intégré est inclus pour alimenter l’isolateur numérique ou d’autres circuits dans les applications high-side.

Doté d’une large plage de tension de fonctionnement de 6V à 20V et d’une forte résistance Pull-up de 1,3Ω et Pull-down de 0,5Ω, l’INS1001DE est disponible dans un boîtier DFN3x3-10L à haute performance thermique. Les applications comprennent les alimentations à découpage, les convertisseurs CA/CC et CC/CC, les convertisseurs Boost, Flyback, Forward, Half-Bridge et Full-Bridge, les circuits de redressement synchrone, les onduleurs solaires, la commande de moteurs et les onduleurs.

« L’INS1001DE est parfaitement adapté à l’optimisation des performances des HEMT GaN en mode e, et en particulier de l’InnoGaN en mode e d’innoscience. Une forte capacité d’entraînement et un délai de propagation rapide, ainsi qu’un déglaçage du bruit d’entrée et des fonctions de protection UVLO, OVP et OTP intégrées, rendent l’INS1001DE extrêmement adapté aux applications GaN à haute puissance, à haute fréquence et à puissance élevée », a déclaré Min Chen, vice-président de la conception des circuits intégrés chez Innoscience.

www.innoscience.com

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