Innoscience lance la famille HEMT basse tension dans un emballage QFN facile à utiliser
Innoscience Technology a annoncé une nouvelle gamme de HEMT discrets à faibles tensions dans un emballage FCQFN. Évalué à 40 V, 100 V et 150 V, le formatage « flip chip » le rend simple à utiliser pour les ingénieurs.
Le Dr Denis Marcon, directeur général d’Innoscience Europe, commente : « Nous proposons encore tous nos dispositifs discrets dans des boîtiers à l’échelle d’une tranche, ce qui est avantageux pour certains utilisateurs de modules. Cependant, les nouveaux dispositifs FCQFN sont faciles à monter sur des PCB à l’aide d’un équipement d’assemblage et des processus standards. » Les dispositifs FCQFN de 40 V sont disponibles avec une valeur de résistance à l’état passant de 4,3 mΩ (taille de puce 3×4 mm). Les HEMT 100 V sont proposés avec des valeurs RDS(on) de 2,8 mΩ (3×5 mm) et 1,8 mΩ (4×6 mm), tandis que les pièces 150 V mesurant 4×6 mm sont disponibles avec 3,9 mΩ et 7 mΩ RDS(on).
Les pièces 40 V utilisant les derniers processus GaN d’Innoscience atteignent des performances de pointe avec les meilleures valeurs de facteur de mérite (FOM) de leur catégorie pour Qg Ron et Idss Ron. Les faibles courants de fuite de drain et de grille des composants leur permettent d’être utilisés sur les marchés mobiles et dans les applications connectées directement à la batterie. D’autres applications incluent les convertisseurs Buck-Boost USB Type C dans les ordinateurs portables. De plus, grâce à son procédé de dernière génération, Innoscience maintient un contrôle très strict de l’épitaxie, ce qui se traduit par une tension de seuil et une résistance à l’état passant très uniformes, conduisant à un rendement de tranche très élevé. Les appareils 100 V conviennent à la conversion DC/DC à des niveaux de puissance allant jusqu’à 2 kW, en raison de leur très faible résistance à l’état passant. Lorsqu’il est utilisé en configuration parallèle, des niveaux de puissance allant jusqu’à 8 kW peuvent être atteints. Le nouveau 150 V cible les applications industrielles, notamment les installations solaires. Ils ont été conçus pour être très robustes et ne nécessitent donc pas l’application du déclassement standard de 80 % (c’est-à-dire qu’ils sont évalués à 100 % de leur tension). Tous les nouveaux HEMT 40 V, 100 V et 150 V ont été testés et ont dépassé les normes JEDEC et JEP 180 spécifiques au GaN.
Un dernier point important à souligner est que les HEMT 1,8 mΩ 100 V sont compatibles broche à broche avec les nouveaux composants 3,9 mΩ et 7 mΩ 150 V car ils sont tous conditionnés en FCQFN 4×6 mm : cela permet une grande flexibilité de conception.
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