TI étoffe son portefeuille de composants en GaN basse consommation
Texas Instruments annonce étoffer son portefeuille de composants en nitrure de gallium (GaN) basse consommation, conçu pour améliorer la puissance volumique, optimiser l’efficacité énergétique et réduire la taille des appareils électroniques des particuliers ainsi que des systèmes industriels CA/CC.
L’ensemble du portefeuille de transistors à effet de champ (FET) en GaN avec pilotes de grille intégrés de TI a vocation à relever les défis les plus courants en matière de conception thermique, de manière à mieux refroidir les adaptateurs et à fournir davantage de puissance dans un format plus compact.
Le nouveau portefeuille de transistors à effet de champ en GaN avec pilotes de grille intégrés, qui inclut les modèles LMG3622, LMG3624 et LMG3626, propose les fonctions de détection de courant les plus précises du marché. Il aide ainsi les ingénieurs à optimiser l’efficacité de leurs systèmes en éliminant la nécessité d’y adjoindre une résistance de shuntage externe et en limitant les pertes de puissance associées de 94 % par rapport à un circuit de détection de courant classique, doté de transistors à effet de champ en GaN ou en silicium discrets.
Optimiser l’efficacité énergétique et simplifier la conception thermique
Les transistors à effet de champ en GaN avec pilotes de grille intégrés de TI accélèrent la commutation, évitant ainsi la surchauffe des adaptateurs. Il est ainsi possible d’atteindre une efficacité supérieure à 94 % sur les applications CA/CC < 75 W, voire supérieure à 95 % sur les applications CA/CC > 75 W. Grâce à ces nouveaux composants, les ingénieurs sont en mesure de diviser par deux la taille d’un adaptateur de puissance type de 67 W par rapport à une solution en silicium.
Ce portefeuille de composants est également optimisé pour les topologies de conversion de puissance CA/CC les plus courantes, notamment les convertisseurs à transfert indirect quasi résonnants, en demi-pont asymétrique, les convertisseurs à deux inductances, les dispositifs de correction de facteur de puissance à pôle totem et les convertisseurs à transfert indirect à écrêtage actif.
Investir à long terme dans la production de composants en nitrure de gallium
TI développe depuis plusieurs années ses capacités de production propres, avec 15 sites répartis dans diverses régions du monde : usines de plaquettes de semiconducteurs, d’assemblage (notamment par billes de soudure) et d’essai (notamment tests électriques). L’entreprise investit d’ailleurs dans la fabrication des technologies au GaN depuis plus de 10 ans.
TI compte fabriquer en interne plus de 90 % de ses produits d’ici 2030, de manière à sécuriser l’approvisionnement de ses clients pour les décennies à venir.
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