Circuit intégré pilote optimisant les performances des HEMT GaN
Le circuit intégré de pilote GaN INS1001DE développé par Innoscience Technology est conçu pour piloter des HEMT GaN monocanal dans des applications SR côté bas, côté haut ou côté secondaire.
Min Chen, vice-président de la conception des circuits intégrés chez Innoscience, commente : « L’INS1001DE est parfaitement adapté pour optimiser les performances des HEMT GaN en mode e et en particulier de l’InnoGaN en mode e d’Innoscience. Une forte capacité de pilotage et un délai de propagation rapide, ainsi qu’une réduction du bruit d’entrée et des fonctionnalités de protection UVLO, OVP et OTP intégrées, rendent l’INS1001DE extrêmement adapté aux applications GaN à haute puissance, haute fréquence et grande robustesse.
Le nouveau pilote de grille dispose de deux entrées PWM non inverseuses et inverseuses, permettant un fonctionnement flexible avec le contrôleur, l’optocoupleur et l’isolateur numérique. Les sorties indépendantes Pull-up et Pull-down facilitent le contrôle des vitesses d’allumage et d’arrêt. La tension du pilote est programmable par l’utilisateur pour répondre aux différentes exigences de grille à l’aide d’un diviseur de résistance externe. Un LDO 5 V intégré est inclus pour alimenter un isolateur numérique ou d’autres circuits dans les applications haut de gamme.
Doté d’une large plage de tension de fonctionnement de 6 V à 20 V et d’une forte résistance de traction de 1,3 Ω et de 0,5 Ω de traction, l’INS1001DE est disponible dans un boîtier DFN3x3-10L thermiquement amélioré. Les applications incluent les alimentations à découpage, les convertisseurs AC/DC et DC/DC, les convertisseurs Boost, Flyback, Forward, Half-Bridge et Full-Bridge, les circuits de redressement synchrones, les onduleurs solaires, la commande de moteur et les UPS.
Suivre ECInews sur Google news
Si vous avez apprécié cet article, vous aimerez les suivants : ne les manquez pas en vous abonnant à :
