Un passage massif aux disques SSD pour le grand public ?
« Le nouveau SSD SATA 4 bits de Samsung entraînera le passage massif aux disques SSD grand public de plus d’un téraoctet », a déclaré Jaesoo Han, vice-président directeur Ventes et marketing mémoire chez Samsung Electronics. « À mesure que nous étendons notre gamme aux segments grand public et d’entreprises, les SSD de plus d’un téraoctet à 4 bits se répandent rapidement sur l’ensemble du marché ».
Avec sa nouvelle puce V-NAND 4 bits d’un 1 Tb, Samsung sera en mesure de produire efficacement une carte mémoire de 128 Go pour smartphones, ce qui entraînera une augmentation des capacités de stockage haute performance. Généralement, lorsque les données stockées dans une cellule mémoire passent de trois à quatre bits, la capacité de la puce par unité de surface augmente, mais la charge électrique (utilisée pour déterminer les informations d’un capteur) diminue de 50 %, ce qui augmente considérablement la difficulté de maintenir les performances et la vitesse au niveau souhaité pour un lecteur. Cependant, le SSD SATA QLC 4 bits de 4 To de Samsung maintient ses performances au même niveau qu’un SSD 3 bits, grâce à un contrôleur SSD 3 bits et à la technologie TurboWrite, tout en augmentant la capacité du lecteur en utilisant 32 puces V-NAND de 1 Tb de quatrième génération à 64 couches.
Le SSD QLC 4 bits offre une vitesse de lecture séquentielle de 540 Mo/s et une vitesse d’écriture séquentielle de 520 Mo/s. Il est en outre garanti trois ans. Samsung prévoit de commercialiser plusieurs SSD grand public 4 bits dans le courant de l’année avec des capacités de 1 To, 2 To et 4 To au format 2,5 pouces largement utilisé.
Samsung Electronics produit désormais les puces mémoire V-NAND de 5ème génération
DRAM 8 Gb pour applications mobiles 5G
Samsung Electronics lance la construction de sa nouvelle ligne EUV à Hwaseong
Si vous avez apprécié cet article, vous aimerez les suivants : ne les manquez pas en vous abonnant à :