Transistors photo-coupleurs en boîtier SO4
Dotés des mêmes dimensions de plots de référence que les précédents TLP280 et TLP281 de la gamme, ces transistors peuvent remplacer leurs prédécesseurs dans des circuits existants sans reconception du système, tout en améliorant la tension d’isolation de pointe. Parmi les applications visées figurent des adaptateurs AC, des alimentations à découpage, des contrôleurs de logique programmable et des circuits de conversion. Le TLP290 se compose d’un photo-transistor couplé optiquement à deux diodes électroluminescentes (DEL) infrarouge en GaAs connectées selon une configuration inverseuse parallèle. Il peut opérer directement à partir d’un courant d’entrée AC. Le TLP291 comprend un photo-transistor et une seule DEL GaAs. Les deux composants affichent une tension d’isolation d’une valeur minimale de 3750 Vrms.
Malgré des dimensions de montage sur carte de seulement 7 x 2,6 mm, avec un profil de tout juste 2,1 mm, ces photo-coupleurs offrent des lignes de fuite et des distances d’isolement dans l’air garanties de 5 mm ainsi qu’une épaisseur d’isolation garantie de 0,4 mm. Ils répondent ainsi aux besoins d’isolation renforcée requises par les standards internationaux de sécurité. Ces transistors affichent une tension minimale collecteur-émetteur de 80 V et offrent des rapports de transfert de courant de 50% à 400% (IF = 5 mA, VCE = 5 V, Ta = 25 ˚C).
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