Transistors IGTB 600 V avec diode intégrée
La technologie IGBT de 6e génération combine un design avec des structures plus fines et un procédé dit "punch through" avec des tranches de silicium plus minces que la génération précédente, ainsi qu’un design vertical hautement optimisé. Par conséquent, les dispositifs réalisés avec ce procédé de fabrication peuvent afficher des pertes de conduction Vce(sat) plus faibles et des pertes de commutation Eon et Eoff réduites.
Les produits GT15J341, GT20J341, GT30J341 et GT50J342 offrent respectivement des valeurs de courant de 15 A, 20 A, 30 A et 50 A. Chaque composant intègre à la fois l’IGBT et une diode de recouvrement inverse rapide placée entre l’émetteur et le collecteur, le tout dans un seul boîtier compact. Tous les composant se distinguent par une tension typique Vce(sat) de 1,5 V au courant nominal. Les dispositifs 15 A et 20 A sont présentés dans un boîtier TO-220SIS isolé, tandis que les modèles 30 A et 50 A sont encapsulés dans un boîtier TO-3P(N) non isolé, équivalent à un TO-247.
Les améliorations au niveau de l’efficacité et de la performance apportées par ces dernières versions peuvent être constatées en comparant, par exemple, un composant GT50J342 50 A et un GT30J341 30 A avec les modèles 50 A et 30 A préalables. Avec une température TC de 150 °C et un courant de 50 A, le GT50J342 affiche un Vce(sat) diminué de 32% et des valeurs Eon et Eoff respectivement réduites de 13% et 26%. Les pertes globales sont ainsi en baisse de 24% pour une tension de 300 V sur le bus DC et à une fréquence de commutation de l’IGBT de 20 KHz. Avec la même température TC et un courant de 30 A, le GT30J341 présente un Vce(sat) diminué de 30% et des valeurs Eon et Eoff respectivement réduites de 12% et 33%. Dans ce cas, les pertes globales sont en baisse de 26% pour les mêmes conditions de tension et de fréquence.
