Toshiba étend sa gamme de MOSFET 80 V pour optimiser les systèmes automobiles 48 V
Toshiba Electronics Europe GmbH annonce l’introduction de deux MOSFET canal N de 80 V conformes à la norme AEC‑Q101, destinés aux architectures automobiles 48 V. Les nouveaux modèles XPH2R608QB et XPH3R908QB enrichissent la gamme basée sur le procédé avancé U‑MOSX‑H et se distinguent par leur combinaison de faible résistance à l’état passant et de boîtier optimisé pour la production.
Cette évolution répond aux besoins croissants des systèmes automobiles modernes visant à améliorer le rendement énergétique, tout en garantissant une fiabilité accrue dans des environnements contraignants.
Une réduction des pertes pour améliorer l’efficacité énergétique
Grâce au procédé U‑MOSX‑H de dernière génération, ces MOSFET affichent des valeurs de RDS(on) particulièrement faibles, contribuant à limiter les pertes de conduction. Le modèle XPH2R608QB propose une résistance maximale de 2,55 mΩ, tandis que le XPH3R908QB atteint 3,9 mΩ, sous une tension grille‑source de 10 V.
Associées à une charge de grille optimisée, ces caractéristiques permettent d’améliorer le rendement global des systèmes 48 V, réduisant la consommation énergétique et contribuant à prolonger la durée de vie des batteries.
Un boîtier conçu pour la fiabilité et la production automatisée
Les deux composants sont proposés dans un boîtier SOP Advance (WF) intégrant une structure de connexion en cuivre. Cette conception permet de réduire les résistances internes, d’améliorer la dissipation thermique et de renforcer la robustesse du système.
La présence de flancs mouillables constitue un atout majeur pour les lignes de production modernes, en facilitant l’inspection optique automatisée (AOI). Cette visibilité accrue des soudures permet d’améliorer la qualité du montage et de réduire les risques de défauts, contribuant ainsi à une meilleure fiabilité globale.
Adaptés aux applications de puissance automobile et industrielle
Ces MOSFET sont particulièrement adaptés aux commandes de moteurs BLDC de type N ainsi qu’aux convertisseurs DC‑DC abaisseurs non isolés. Ils peuvent également être utilisés dans d’autres applications telles que les variateurs de vitesse, les alimentations à découpage ou les circuits de commutation de charge.
Au‑delà des plateformes 48 V, ils conviennent également aux systèmes automobiles 28 V, élargissant leur champ d’application.
Une gamme en expansion pour les architectures 48 V
Ces nouveaux composants s’inscrivent dans la stratégie de Toshiba visant à développer une offre complète de MOSFET haute efficacité pour les systèmes automobiles 48 V, incluant d’autres produits comme le XPQR8308QB, optimisé pour la dissipation thermique.
Pour les concepteurs de systèmes de puissance automobile, ces MOSFET offrent une solution combinant rendement élevé, gestion thermique optimisée et compatibilité avec les exigences de production industrielle. Ils contribuent à améliorer l’efficacité énergétique tout en simplifiant les processus d’assemblage et de contrôle.
Toshiba Electronics Europe GmbH
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