Toshiba dévoile un MOSFET 40 V à très faible RDS(on) pour améliorer l’efficacité des alimentations industrielles
Toshiba Electronics Europe GmbH annonce le lancement du TPHR6704RL, un MOSFET de puissance canal N 40 V intégrant la nouvelle technologie U‑MOS11‑H. Conçu pour répondre aux exigences croissantes en matière de rendement énergétique, ce composant cible les alimentations à découpage des centres de données ainsi que de nombreuses applications industrielles à haut rendement.
Grâce à une résistance à l’état passant ultra‑faible, des performances de commutation améliorées et une réduction des émissions électromagnétiques, ce MOSFET contribue à optimiser les architectures de conversion de puissance modernes.
Une technologie U‑MOS11‑H orientée rendement et faibles pertes
Le procédé U‑MOS11‑H permet au TPHR6704RL d’atteindre une RDS(on) typique de 0,52 mΩ et une valeur maximale de 0,67 mΩ pour une tension grille‑source de 10 V. Par rapport au MOSFET 40 V précédent de Toshiba (TPHR8504PL, procédé U‑MOS IX‑H), cela représente une réduction d’environ 21 % de la résistance à l’état passant.
Les performances de commutation sont également améliorées, avec une charge de grille totale (Qg) typique de 88 nC et une charge de commutation (QSW) de 24 nC. Cette optimisation permet de réduire le facteur de mérite RDS(on) × Qg d’environ 37 %, contribuant à un fonctionnement à faibles pertes et à un rendement global supérieur.
Réduction des EMI et amélioration de la qualité de commutation
Le TPHR6704RL aide les concepteurs à limiter les interférences électromagnétiques (EMI) dans les alimentations à découpage. La technologie U‑MOS11‑H réduit les pics de tension drain‑source générés lors des commutations rapides, améliorant ainsi la compatibilité électromagnétique des systèmes.
Ces caractéristiques sont particulièrement pertinentes pour les applications sensibles telles que les convertisseurs DC‑DC à haut rendement, les régulateurs de tension à découpage et les variateurs de vitesse pour moteurs.
Des performances thermiques et de courant adaptées aux applications exigeantes
Le composant offre une capacité de courant élevée, avec un courant de drain maximal de 420 A, et une résistance thermique canal‑boîtier de 0,71 °C/W à 25 °C. Sa température de canal maximale atteint 175 °C, garantissant un fonctionnement fiable même dans des environnements industriels sévères et sous forte charge.
Logé dans un boîtier SOP Advance (N), le TPHR6704RL assure une compatibilité d’encombrement élevée avec les conceptions existantes, facilitant les remplacements et les mises à niveau sans modification majeure des cartes.
Des outils de conception pour optimiser les alimentations
Pour accompagner les concepteurs, Toshiba met à disposition une gamme complète d’outils de conception, incluant :
- des modèles SPICE G0 pour la vérification fonctionnelle rapide,
- et des modèles SPICE G2 haute précision permettant de reproduire fidèlement les comportements transitoires et de commutation.
Ces outils aident à optimiser le rendement, les performances thermiques et la compatibilité électromagnétique des alimentations.
Pour les ingénieurs en électronique de puissance, ce nouveau MOSFET offre une réponse concrète aux exigences de rendement, de densité de puissance et de maîtrise des EMI. Il permet de concevoir des alimentations plus efficaces, plus compactes et plus fiables, tout en simplifiant l’intégration dans des designs existants.
Toshiba Electronics Europe GmbH
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