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STMicroelectronics lève le voile sur une nouvelle technologie de puissance

Par eeNews Europe

Les nouveaux MOSFET STripFET(TM) VII DeepGATE de ST assurent le meilleur rendement en conduction de tous les modèles à 80 et 100 V actuellement disponibles sur le marché, tout en affichant une efficacité en commutation accrue. De plus, ces composants permettent de simplifier la conception, ainsi que de réduire les dimensions et le coût des équipements tout en contribuant à atteindre les objectifs de consommation et de rendement en intégrant un nombre de composants réduit sur des boîtiers plus compacts. L’avancée cruciale de la technologie STripFET VII DeepGATE de ST réside dans l’utilisation d’une structure de grille MOSFET perfectionnée, qui abaisse la résistance à l’état passant (Ron) des composants et réduit la capacité interne et la charge de grille, avec à la clé une commutation plus rapide et plus efficace. Par ailleurs, ces composants se caractérisent par une forte résistance en avalanche qui leur permet de résister à des événements potentiellement dangereux et en fait un choix idéal pour les environnements automobiles.
Plus de 15 composants de la famille STripFET VII DeepGATE sont immédiatement disponibles sous forme d’échantillons ou en série, parmi lesquels la référence STP270N8F7 à 80 V et plusieurs références à 100 V en boîtiers TO-220, DPAK, PowerFLAT(TM) 5×6, et H2PAK à 2 ou 6 contacts. Le prix pour 1.000 unités est compris entre 1,70 dollar pour les références STD100N10F7 et STL100N10F7 (100 V) et 3,80 dollars pour le modèle STH310N10F7-2. Pour toute commande plus importante, les clients sont invités à contacter leur bureau de ventes ST habituel.

À propos des MOSFET de ST et de la tenue en tension:
La famille STripFET VII DeepGATE vient compléter le vaste portefeuille de technologies MOSFET de ST qui se caractérisent par un rendement énergétique, une densité de puissance et une robustesse à la pointe de l’industrie aux valeurs de tenue en tension clé utilisées dans différentes applications. La technologie STripFET VII DeepGATE convient idéalement aux systèmes alimentés sous des tensions continues telles que le 48 V, largement utilisé dans les applications de télécommunications. Les composants à 80 V ou 100 V disposent d’une " marge de sécurité " suffisante pour résister à des pointes de tensions typiques pouvant toucher des systèmes alimentés sous 48 V. Les MOSFET STripFET VII DeepGATE sont également choisis pour leurs performances très robustes dans les applications automobiles fonctionnant sous 12 ou 24 V.
D’autres technologies, telles que la technologie à superjonction MDmesh(TM), sont nécessaires pour assurer une efficacité optimale à des tensions nominales supérieures. Les composants MDmesh à 600 ou 650 V disposent d’une marge de sécurité adaptée aux applications telles que les alimentations en courant alternatif/courant continu, les ballasts d’éclairage et les panneaux d’affichage. Par ailleurs, ST a récemment annoncé une nouvelle famille MDmesh à haut rendement et faible charge de grille destinée aux alimentations à résonance qui équipent les téléviseurs à cristaux liquides (MDmesh II Low Qg).

www.st.com/pmos


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