ST fait équipe pour une fab SiC 200 mm de $3,2 milliards en Chine
STMicroelectronics va créer une entreprise commune en Chine avec Sanan Optoelectronics pour la fabrication de composants en carbure de silicium (SiC) en grand volume sur des wafers de 200 mm.
La fab de la coentreprise de Chongqing ne fournira que ST pour répondre à la demande chinoise en matière d’électrification des voitures et d’applications industrielles dans le domaine de l’énergie et de l’électricité. Elle utilisera la technologie de process 200 mm de ST, pour laquelle elle a conclu un accord de développement avec Soitec en France. Elle servira également de fonderie dédiée à ST pour répondre à la demande de ses clients chinois.
Sanan, qui développe des produits LED, SiC, des communications optiques, RF, des filtres et GaN, construira séparément une usine de fabrication de substrats SiC de 200 mm pour approvisionner l’entreprise en utilisant son propre procédé de fabrication de substrats SiC.
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Cette décision intervient alors que ST achève son usine de substrats SiC de 150 mm et son usine pilote à Catane, afin d’accroître sa part de marché du SiC.
L’usine de Chongqing devrait commencer à produire au quatrième trimestre 2025 et sa pleine capacité devrait être atteinte en 2028, ce qui permettra de répondre à la demande croissante de la Chine en matière d’électrification des voitures et d’applications industrielles dans les domaines de l’énergie et de l’électricité.
Le montant total de la mise en place de l’entreprise commune devrait s’élever à environ 3,2 milliards de dollars, dont des dépenses d’investissement d’environ 2,4 milliards de dollars au cours des cinq prochaines années, qui seront financées par des contributions de STMicroelectronics et de Sanan Optoelectronics, des aides des autorités locales et des prêts à l’entreprise commune.
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« La Chine évolue rapidement vers l’électrification de l’automobile et de l’industrie et c’est un marché où ST est déjà bien implanté avec de nombreux programmes clients engagés. La création d’une fonderie dédiée avec un partenaire local clé est le moyen le plus efficace de répondre à la demande croissante de nos clients chinois. La combinaison de la future usine de fabrication de substrats de 200 mm de Sanan Optoelectronics avec la JV front-end et l’usine back-end existante de ST à Shenzhen, en Chine, permettra à ST d’offrir à ses clients chinois une chaîne de valeur SiC entièrement intégrée verticalement « , a déclaré Jean-Marc Chery, Président-Directeur général de STMicroelectronics.
« Il s’agit d’une étape importante dans le développement de nos activités de fabrication de SiC au niveau mondial, qui vient s’ajouter à nos investissements significatifs en Italie et à Singapour. Cette entreprise commune devrait être l’un des catalyseurs de l’opportunité que nous voyons d’atteindre un chiffre d’affaires de 5 milliards de dollars pour le SiC d’ici à 2030. Cette initiative est cohérente avec l’ambition de ST 2025-27 d’atteindre un chiffre d’affaires de plus de 20 milliards de dollars et ceci avec le modèle financier associé, précédemment communiqué aux marchés financiers ».
Fonderie SiC de 200 mm
« La création de cette entreprise commune sera un moteur important pour l’adoption à grande échelle des composants SiC sur le marché chinois », a déclaré Simon Lin, PDG de Sanan Optoelectronics. « En tant que société internationale de services de fonderie de SiC réputée et de haute qualité, Sanan fournira également son substrat de SiC à cette nouvelle coentreprise, en construisant une nouvelle usine dédiée à ce type de substrat. Il s’agit d’une étape importante pour les ambitions de Sanan Optoelectronics en tant que fonderie de SiC. Grâce à cette nouvelle entreprise commune et à l’augmentation de la capacité de production de substrats SiC, nous sommes convaincus que nous continuerons à prendre la tête du marché de la fonderie SiC. »
La réalisation du projet est soumise à l’obtention des autorisations réglementaires.
www.st.com
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