SK Keyfoundry prépare son entrée sur le marché du GaN
La fonderie spécialisée SK Keyfoundry (Cheongju, Corée du Sud), anciennement Key Foundry, a annoncé des progrès dans le programme de développement de semi-conducteurs de puissance au nitrure de gallium (GaN).
La société a déclaré avoir mesuré les principales caractéristiques des transistors GaN HEMT à 650 V dans le cadre des efforts visant à développer un transistor de puissance en GaN dans un délai d’un an.
Une équipe spécialisée a été constituée en 2022, peu après l’acquisition de la société par SK Hynix, et le développement devrait être finalisé cette année.
Key Foundry a été détachée de Magnachip Semiconductor en septembre 2020 et est devenue une filiale de SK Hynix en août 2022. Le nom a été changé en SK Keyfoundry au début de l’année 2024.
La société prévoit que le produit GaN 650V soutiendra les clients fabless sur des marchés tels que les adaptateurs de charge rapide, l’éclairage LED et les micro-onduleurs solaires. SK Keyfoundry a déclaré qu’il prévoyait de construire un portefeuille GaN de HEMT GaN et de circuits intégrés GaN couvrant une gamme de tensions de claquage.
Le marché des semi-conducteurs de puissance GaN devrait croître à un taux de croissance annuel moyen de 33 %, passant de 500 millions de dollars en 2023 à 6,4 milliards de dollars en 2032, selon le cabinet d’études de marché Omdia. Les semi-conducteurs de puissance GaN seront principalement utilisés dans les alimentations électriques, les véhicules hybrides et électriques et les onduleurs solaires.
« Nous nous préparons à la prochaine génération de semi-conducteurs de puissance en plus d’offrir nos BCD haute tension compétitifs », a déclaré Derek Lee, PDG de SK Keyfoundry, dans un communiqué. « Nous allons également élargir notre portefeuille de semi-conducteurs de puissance pour y inclure non seulement le GaN mais aussi le SiC à l’avenir, afin de nous établir en tant que fonderie spécialisée dans les semi-conducteurs de puissance. »
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