Samsung présente la première mémoire flash NAND MLC de 64 Gb dotée d’une interface DDR Toggle 2.0
Dotée d’une interface DDR (Double Data Rate) Toggle 2.0, la nouvelle puce MLC de 64 Gb peut transmettre des données sur une bande passante de 400 mégabits par seconde maximum. Cette vitesse est 10 fois celle de la mémoire flash NAND SDR (Single Data Rate) 40 MBps largement utilisée aujourd’hui et 3 fois celle de la mémoire flash NAND 32 Gb DDR Toggle 133 Mbps, que Samsung fut le premier à produire en 2009. " Avec cette mémoire NAND DDR Toggle 2.0 64Gb, de classe 20nm, Samsung est à la tête d’un marché qui évolue vers les téléphones intelligents de quatrième génération et les SSD SATA de 6 Gbps ", a déclaré Wanhoon Hong, vice-président exécutif, ventes et marketing mémoire, Samsung Electronics. " Nous allons continuer à développer activement les solutions flash NAND DDR Toggle les plus évoluées au monde avec de meilleures performances et une densité plus élevée, car nous pensons qu’elles sont vitales à la mise en place d’une grande diversité de services destinés aux utilisateurs de téléphones mobiles dans le monde".
La bande passante 400 Mbps haute vitesse de la DDR Toggle 2.0 devrait mieux prendre en charge l’évolution actuelle vers des interfaces évoluées, car de plus en plus d’appareils mobiles et d’applications grand public nécessitant plus de performance et haute densité adoptent de nouvelles interfaces telles que les interfaces USB 3.0 et SATA 6.0 Gbps. En outre, la nouvelle puce NAND MLC 64 Gb offre une augmentation de productivité de 50 pour cent par rapport aux puces NAND MLC 32 Gb de classe 20 nm avec une interface DDR Toggle 1.0 (que Samsung a commencé à produire en avril de l’année dernière) et fait plus que doubler la productivité d’une mémoire NAND MLC 32 Gb de classe 30 nm.
Selon IHS iSuppli, le marché des mémoires flash NAND continuera à croître de façon continue pour passer de 11 milliards d’unités équivalentes à 1 gigaoctet (Go) en 2010 à 94 milliards d’unités équivalentes à 1 Go en 2015 avec un CAGR de 54 pour cent. En outre, les livraisons de mémoire flash NAND de 64 Gb ou de densité supérieure devraient représenter 70 pour cent environ des livraisons de mémoire flash NAND en 2012, soit une énorme augmentation par rapport au niveau de trois pour cent de 2010.
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