Samsung lance la fabrication de masse de sa mémoire intégrée ultra rapide
Ces composants augmenteront la vitesse des opérations multitâches, de la navigation Web, du téléchargement d’applications et du transfert de fichiers. Elles accéléreront également l’acquisition et la lecture vidéo haute définition. Autre caractéristique, elles sont hautement réactives pour les applications de jeu et de productivité lourdes.
"Grâce à la production rapide en grande série de la gamme eMMC PRO ultrarapide offrant des performances 10 fois plus élevées que celles des cartes mémoires externes, Samsung va accélérer l’essor des appareils mobiles haut de gamme, le marché des appareils à grands écrans et à fonctionnalités multimédias étant en pleine expansion", a déclaré KyongMoo Mang, vice-président du marketing mémoire. "Tout en renforçant la coopération technologique avec les fabricants d’appareils mobiles, nous continuerons d’apporter des solutions de mémoire mobiles avancées afin que nos utilisateurs puissent lire en continu des contenus haute définition volumineux."
Ces puces de 16, 32 et 64 Go sont basées sur la technologie propriétaire flash NAND de 64 Gb gravée en classe 10 nm. Elles supportent la norme eMMC version 5.0 en cours de finalisation au JEDEC, le plus grand organisme de normalisation de l’industrie microélectronique.
Dans les versions 32 Go et 64 Go, la mémoire offre une vitesse de lecture aléatoire de 7000 IOPS (entrées/sorties par seconde) et une vitesse d’écriture aléatoire de 7000 IOPS en mode cache activé, sans surcharge de l’hôte. En outre, ses vitesses de lecture et d’écriture séquentielles atteignent respectivement 250 Mo/s et 90 Mo/s. Ainsi, avec une vitesse 10 fois supérieure à celle d’une carte mémoire externe de classe 10 de seulement 24 Mo/s en lecture et 12 Mo/s en écriture, cette mémoire mobile facilite considérablement le passage d’une application à une autre en opérations multitâches.
Proposés en boîtiers à billes de seulement 11,5 x 13 mm, ces dispositifs 16 Go, 32 Go et 64 Go conviennent particulièrement aux appareils mobiles où l’espace sur le circuit imprimé est extrêmement limité. Ils sont équipés d’un contrôleur et d’un micrologiciel de gestion NAND intelligents propriétaire afin de fournir une solution DRAM mobile intégrée verticalement.
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