Samsung lance la fabrication de la première mémoire LPDDR2 20 nm
" Samsung a commencé à étendre le marché de la DRAM de 4 Gbits l’année dernière avec la production en masse de sa première DRAM classe 30 nm et s’efforce désormais de rafler la majeure partie du marché des mémoires avancées avec sa nouvelle DRAM classe 20 nm de 4 Gbits ", a expliqué Wanhoon Hong, Vice-président exécutif, ventes et marketing mémoire, Samsung Electronics. " Au deuxième semestre de cette année, nous envisageons d’augmenter fortement la part des DRAM classe 20 nm dans notre portefeuille de DRAM global afin de transformer la gamme de DRAM 4 Go en produit standard dans la fabrication de DRAM et donc, d’ancrer notre position de leader sur le marché premium et de renforcer notre compétitivité. " Les tablettes et smartphones grand écran équipés de puces quatre coeurs dopent le marché du mobile ; la demande en mémoires consommant moins d’énergie et offrant de meilleures capacités, atouts garants d’une plus longue durée de vie de la batterie et de vitesses de traitement plus rapides, va donc crescendo.
La DRAM mobile classe 20 nm de 4 Gbits de Samsung est la plus fine du marché. Dotée d’une densité maximale et affichant des performances inégalées, elle permet de proposer un design ultrafin, tout en améliorant les performances des systèmes de nouvelle génération et ce, tant pour les fabricants de mobiles que les fournisseurs de solutions d’entreprise. En exploitant ses composants de 4 Gbits, Samsung peut en outre proposer des solutions de 2 Giga-octets (Go) aussi fines qu’une lame de rasoir – 0,8 millimètre (mm) – avec quatre puces LPDDR2 de 4 Gbits empilées dans un seul composant LPDDR2. Ce nouveau composant est environ 20 % moins épais que les mémoires de 2 Go qui empilent quatre puces LPDDR2 classe 30 nm de 4 Gbits. La nouvelle mémoire de 2 Go peut en outre traiter les données à une vitesse atteignant 1066 Mbits/s, tout en consommant la même quantité d’énergie que l’ancien format 30 nm de 2 Go. Les atouts de la nouvelle LPDDR2 20 nm de 4 Gbits permettent de booster la croissance du marché de la DRAM de 4 Gits.
Selon l’institut UHS iSUpply, les expéditions de DRAM de 4 Gbits augmenteront de manière constante, en atteignant environ 13 % des expéditions totales de DRAM en 2012, 49 % en 2013 et 63 % en 2014, la DRAM de 4 Gbits devenant ainsi une puce standard sur le marché de la DRAM vers la fin 2013.
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