Samsung et TSMC s’associent pour la DRAM HBM4
Selon le Korea Economic Daily, qui cite Dan Kochpatcharin, responsable de la gestion de l’écosystème et des alliances chez TSMC, Samsung et TSMC s’associent pour produire une mémoire DRAM à grande largeur de bande (HBM) sans mémoire tampon.
M. Kochpatcharin s’exprimait la semaine dernière lors du forum Semicon Taiwan 2024, a indiqué KED. Ce serait la première fois que Samsung et TSMC s’associent dans le domaine des mémoires.
Le rapport ajoute qu’un HBM4 sans mémoire tampon aura une efficacité énergétique supérieure de 40 % et une latence inférieure de 10 % par rapport aux modèles existants. La technologie HBM a été largement adoptée pour l’informatique de l’intelligence artificielle.
Dans le domaine de la logique de fonderie, Samsung est en concurrence avec TSMC, mais la société taïwanaise ne fabrique pas de DRAM. Toutefois, l’adoption du packaging multi-die et du packaging avancé dit « chiplet » pour la collaboration en matière de processeurs d’intelligence artificielle est en augmentation.
SK Hynix, Samsung et Micron introduisent tous trois des DRAM HBM3E et prévoient d’introduire le format HBM4 en 2025. SK Hynix a récemment annoncé son intention de développer des produits aux performances 30 fois supérieures à celles des mémoires DRAM à large bande passante (HBM) et de proposer des produits spécifiques aux clients.
La collaboration entre Samsung et TSMC permettra de fournir des « puces et des services personnalisés » demandés par des clients tels que Nvidia et Google, a déclaré KED.
Bien que Samsung soit capable de fournir des services HBM4 complets, y compris la production de mémoire, la fonderie et le packaging avancé, elle espère tirer parti de la technologie de TSMC pour s’assurer davantage de clients, selon les sources rapportées par KED.
Cette décision s’inscrit dans le cadre des efforts déployés par Samsung pour lutter contre son rival SK Hynix, qui s’est imposé comme le principal fournisseur de HBM avec 53 % du marché, contre 35 % pour Samsung.
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