ROHM lance sa 4e génération de MOSFETs SiC : performance et robustesse au service de l’industrie
Rutronik annonce la disponibilité des nouveaux MOSFETs SiC N-Channel de 4e génération développés par ROHM. Ces composants de commutation de puissance se distinguent par une résistance à l’activation réduite, une meilleure tenue aux courts-circuits, et une minimisation des pertes de commutation grâce à une réduction drastique de la capacité grille-drain.
Des performances optimisées pour les environnements exigeants
Conçus pour les secteurs de l’automobile, de l’industrie, et de l’aéronautique, ces MOSFETs supportent une tension grille-source de 15 V, offrant plus de liberté de conception et d’économies d’énergie. Leur structure améliorée permet une réduction de 40 % de la résistance à l’état passant et une diminution des pertes de commutation jusqu’à 50 %.
Des outils d’évaluation pour accélérer le développement
ROHM propose également :
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Des cartes d’évaluation demi-pont (P04SCT4018KE-EVK-001 et P05SCT4018KR-EVK-001) pour boîtiers compacts TO-247.
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La carte HB2637L-EVK-301, adaptée à plusieurs modes de fonctionnement (buck, boost, synchronisé, onduleur).
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Le driver BM61M41RFV-C, isolé galvaniquement, avec une tension d’isolation de 3 750 Vrms, un temps de réponse ultra-rapide (65 ns), et des fonctions de sécurité intégrées (UVLO, clamp Miller).
Avec cette nouvelle génération, ROHM confirme son expertise dans le domaine du SiC et propose une solution complète, fiable et performante pour les applications de puissance les plus exigeantes.
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