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ROHM démarre la production de HEMT GaN 150 V avec une tension de grille révolutionnaire de 8 V

ROHM démarre la production de HEMT GaN 150 V avec une tension de grille révolutionnaire de 8 V

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Par Alain Dieul


Ces dernières années, en raison de la demande croissante de systèmes de serveurs pour répondre au nombre croissant d’appareils IoT, l’amélioration de l’efficacité de la conversion de puissance et la réduction de la taille sont devenues d’importants enjeux sociétaux qui nécessitent de plus amples avancées dans le secteur des appareils d’alimentation. Comme les circuits GaN offrent des caractéristiques de commutation plus élevées et une résistance à l’état passant plus faible que les circuits à base de silicium, ils devraient contribuer à réduire la consommation d’énergie de différentes alimentations électriques et une plus grande miniaturisation des composants périphériques.
Les HEMT GaN 150 V GaN, série GNE10xxTB (GNE1040TB) de ROHM utilisent une structure originale qui augmente la tension nominale de la source de grille de 6 V à 8 V. En conséquence, la dégradation est évitée, même si des tensions de dépassement supérieures à 6 V se produisent pendant la commutation, ce qui contribue à améliorer la marge de conception et à accroître la fiabilité des circuits d’alimentation. La série GNE10xxTB est proposée dans un boîtier très polyvalent doté d’une dissipation thermique supérieure et d’une grande capacité de courant, facilitant la manipulation pendant le processus de montage.

www.rohm.com


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