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Premier développement de la gravure de logique flash intégrée en 45 nm
"La gravure de logique eFlash en 45 nm de Samsung peut être largement adoptée dans divers composants de solutions de sécurité et d’appareils mobiles, notamment les circuits pour cartes à puce, les puces NFC (communication en champ proche), les éléments de sécurité intégrés (eSE) et TPM (module de plate-forme fiable)", a déclaré Taehoon Kim, vice-président marketing, System LSI Business, Samsung Electronics. "Les performances excellentes de ce circuit de test pour cartes à puce nous permettront de renforcer notre leadership sur le marché des puces de sécurité".
La technologie de gravure de logique eFlash en 45 nm de Samsung confère à ce composant pour cartes à puce une grande fiabilité et uneendurance garantie d’un million de cycles par cellule de mémoire flash. Ces performances sont les meilleures de sa catégorie. Elles surpassent toutes les autres solutions actuelles du marché qui n’offrent généralement que 500 000 cycles.
Grâce aux améliorations apportées à la structure et à la logique d’utilisation des cellules flash, l’accès aléatoire de lecture de mémoire proposé par la puce de test est 50% plus rapide et l’efficacité énergétique est améliorée de 25% par rapport aux produits précédents basés sur la gravure de logique eFlash de 80 nm.
La technologie de logique eFlash avancée de 45 nm de Samsung, fruit des synergies technologiques basées sur plusieurs dizaines d’années d’expérience et de savoir-faire en mémoire flash intégrée et en gravures de logique, permettra à Samsung d’assurer un bon niveau de compétitivité et d’apporter davantage de valeur ajoutée à ses clientsfonderie/ASIC du secteur microcontrôleurs grand public ou puces pour l’automobile, qui exigent davantage de vitesse, de capacité mémoire et d’efficacité énergétique.
Les premiers circuits pour cartes à puce basés sur la technologie de logique eFlash de 45 nm devraient être commercialisés dès le deuxième semestre 2014.
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