Plateforme IGBT à rendement et robustesse élevés
La conception Gen8 permet d’obtenir une tension Vce(on) à l’état de l’art afin de réduire la dissipation de puissance et d’améliorer la densité de puissance, tout en offrant une robustesse accrue. La gamme couvre des courants Ic nominaux de 10 A à 200 A.
"Avec le développement de cette nouvelle plateforme technologique pour IGBT silicium à l’état de l’art, IR poursuit ses avancées en électronique de puissance entreprises depuis des décennies. Notre objectif est de convertir 100 % des moteurs électriques aux commandes à redressement pour tirer un meilleur usage de l’énergie électrique et protéger l’environnement," explique Alberto Guerra, vice-président des produits à économie d’énergie chargé du marketing stratégique.
Cette technologie présente de très bonnes caractéristiques de coupure en douceur particulièrement bien adaptées aux applications de commande moteur. Elles minimisent le dv/dt, et par conséquent les émissions électromagnétiques, et réduisent les surtensions pour une fiabilité et une robustesse accrue. La distribution resserrée des paramètres optimise le partage de courant dans les modules de puissance à fort courant embarquant de multiples IGBT en parallèle. La technologie de fabrication sur tranches fines offre une résistance thermique supérieure et une température de jonction maximale allant jusqu’à 175 °C.
"La plateforme IGBT Gen8 d’IR met une meilleure technologie au service des applications industrielles. Avec une tension Vce(on) inégalée, une robustesse accrue et d’excellentes caractéristiques de découpage, cette plateforme IGBT a été spécialement conçue pour répondre aux exigences du marché industriel," explique Llewellyn Vaughan-Edmunds, responsable marketing des IGBT au sein de l’activité Circuits à économie d’énergie d’IR.
