MENU

Onsemi présente de nouveaux Mosfet de puissance au CES Las Vegas

Nouveaux produits |
Par Daniel Cardon


Au Consumer Electronics Show de Las Vegas, Onsemi présente trois nouveaux Mosfet EliteSiC 1700 V et deux diodes Schottky EliteSiC 1700 V à avalanche. Ces nouveaux circuits offrent fiabilité, hautes performances et  haut rendement pour les applications liées à l ‘énergie et aux entraînements industriels.

Le Mosfet EliteSiC 1700 V, offre une tension de claquage (BV) plus élevée, nécessaire pour les applications industrielles de haute puissance, et les deux diodes Schottky EliteSiC de 1700 V à avalanche permettent un fonctionnement stable à haute tension et températures élevées tout en offrant un rendement accru grâce au SiC.

Dans les énergies renouvelables, les systèmes vont vers vers des tensions toujours plus élevées comme dans le solaire de 1100 V à 1500 V CC.  Les industriels  ont  donc  besoin de MOSFETs avec un BV plus élevé. Le nouveau EliteSiC 1700 V offre une plage de Vgs maximale de -15 V/25 V, ce qui le rend adapté aux applications de commutation rapide où les tensions de grille augmentent jusqu’à -10V, offrant une fiabilité accrue du système.

Dans des conditions de test de 1200 V à 40 Ampères, l’EliteSiC 1700 V atteint une charge de grille (Qg) de 200 nC – soit le meilleur résultat comparé aux dispositifs sur le marché équivalents qui sont plus proches de 300 nC. Un faible Qg permet d’obtenir un rendement élevé dans les applications d’énergie renouvelable à commutation rapide et à forte puissance.

Avec une valeur nominale BV de 1700 V, les diodes Schottky EliteSiC offrent une meilleure marge entre la tension inverse maximale (VRRM) et la tension inverse répétitive de pointe de la diode. Les nouveaux produits offrent également d’excellentes performances en matière de fuites inverses, avec un courant inverse maximal (IR) de seulement 40 µA à 25°C et 100 µA à 175°C, ce qui est nettement supérieur aux dispositifs concurrents qui sont souvent évalués à 100 µA à 25°C.

Onsemi

Mosfet EliteSiC 1700 V (NTH4L028N170M1)

Diodes EliteSiC 1700 V à avalanche (NDSH25170A , NDSH10170A)


Share:

Linked Articles
10s