
Nouveau MOSFET SiC 1700 V
Au cours des dernières années, la tendance à la conservation de l’énergie dans tous les domaines a fait grimper la demande en semiconducteurs de puissance à économie d’énergie, en particulier dans le secteur industriel (onduleurs universels, équipements de fabrication, etc.). Des MOSFET en silicium à tension de claquage élevée (au-dessus de 1 000 V) sont généralement employés dans la majorité des alimentations auxiliaires, qui sont utilisées pour fournir des tensions de commande à des circuits d’alimentation, des CI de contrôle et divers systèmes complémentaires. Ces MOSFET à haute tension souffrent cependant d’une importante perte de conduction (conduisant souvent à une génération excessive de chaleur) et présentent des problèmes liés à la zone de montage et au nombre de composants externes, ce qui rend difficile la réduction de la taille du système. ROHM a par conséquent développé des MOSFET SiC à faible perte et des CI de contrôle qui maximisent les performances tout en contribuant à la miniaturisation du produit final.
Le SCT2H12NZ fournit la tension de claquage élevée requise pour des alimentations auxiliaires au sein d’équipements industriels. La perte de conduction est réduite de 8x par rapport aux MOSFET en silicium conventionnels, garantissant ainsi une meilleure efficacité énergétique. Il est possible d’optimiser les performances et d’améliorer l’efficacité jusqu’à 6 % en l’associant au CI de contrôle d’onduleur AC/DC de ROHM, conçu spécifiquement pour le MOSFET SiC (BD7682FJ-LB). Cela permet également d’utiliser de plus petits composants périphériques, afin d’obtenir une miniaturisation plus élevée.
